半导体集成电路及耐压试验方法

    公开(公告)号:CN111599794A

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN202010101638.X

    申请日:2020-02-19

    Abstract: 本发明实现具备适于层间绝缘膜的耐压检查的构造的半导体集成电路。电压施加区域(13)与电压施加用焊盘(11)通过将密封圈(14)与中继区域利用通孔(16)进行连接,从而形成相互绝缘的、分别不同的耐压测定用布线,上述分别不同的耐压测定用布线通过向电压施加区域(13)与电压施加用焊盘(11)之间施加电压,从而能够向设置于相互邻接的布线层且绝缘的密封圈(14)间施加电压。

    位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置

    公开(公告)号:CN110034033B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN201811537784.6

    申请日:2018-12-15

    Abstract: 用简单的方法来准确地检测半导体元件的电连接单元和与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移。根据半导体元件的电极焊盘2与设备的电极5之间的导通状态,来检测这些电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。电极焊盘2被分割为数个,第一焊盘21至第四电极焊盘24均匀排列设置。位置偏移检测部在电极焊盘2与电极5导通时,判断为不存在所述位置偏移,电极焊盘2未与电极5导通时,判断为存在所述位置偏移。

    发光装置及液晶显示装置

    公开(公告)号:CN109828409A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201811110573.4

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 本发明提供一种可通过简单且有用的构成实现均匀的面发光的发光装置、及具备该发光装置的液晶显示装置。本发明的发光装置包括:第一光源部及第二光源部(41),其射出波长互不相同的三种以上的激光;导光部(23),其引导分别从第一光源部及第二光源部(41)射出的激光;第一散热器及第二散热器(25),其将第一光源部及第二光源部(41)保持在规定位置,并且将由第一光源部及第二光源部(41)产生的热散热。

    位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置

    公开(公告)号:CN110034033A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201811537784.6

    申请日:2018-12-15

    Abstract: 用简单的方法来准确地检测半导体元件的电连接单元和与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移。根据半导体元件的电极焊盘2与设备的电极5之间的导通状态,来检测这些电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。电极焊盘2被分割为数个,第一焊盘21至第四电极焊盘24均匀排列设置。位置偏移检测部在电极焊盘2与电极5导通时,判断为不存在所述位置偏移,电极焊盘2未与电极5导通时,判断为存在所述位置偏移。

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