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公开(公告)号：CN101800180B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910260610.4
申请日：2009-12-17
Applicant: 夏普株式会社 , 日本电镀工程师株式会社
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供以低成本简化了的突起电极的形成方法、及其中使用的置换镀金液。本发明涉及的凸块(2)的形成方法包含将电极(12)上形成的导电性的芯(21)的表面使用含有亚硫酸钾和聚乙烯亚胺或其衍生物的置换镀金液被覆的被覆工序，在一次的被覆工序中，在芯(21)的表面形成厚度0.1μm以上0.5μm以下的金膜(22)。由此，为了形成用于形成凸块(2)所需充分膜厚的金膜(22)，无需反复进行被覆处理。结果，可简化制造工序，降低成本。
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公开(公告)号：CN101800180A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910260610.4
申请日：2009-12-17
Applicant: 夏普株式会社 , 日本电镀工程师株式会社
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供以低成本简化了的突起电极的形成方法、及其中使用的置换镀金液。本发明涉及的凸块(2)的形成方法包含将电极(12)上形成的导电性的芯(21)的表面使用含有亚硫酸钾和聚乙烯亚胺或其衍生物的置换镀金液被覆的被覆工序，在一次的被覆工序中，在芯(21)的表面形成厚度0.1μm以上0.5μm以下的金膜(22)。由此，为了形成用于形成凸块(2)所需充分膜厚的金膜(22)，无需反复进行被覆处理。结果，可简化制造工序，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102856458B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210088419.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供光半导体元件以及光半导体元件的制造方法。光半导体元件(10)包括：第1半导体层(12)，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层(13)，由第2导电型的半导体组成，并且在第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极(14a)，在第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极(14b)，在第2半导体层的上面形成，并且具有位于比第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极(52)，在第1电极的上面形成；第2连接电极(51)，在第2电极的上面形成；以及保护膜(15)，是覆盖第1半导体层的表面和第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使第1半导体层的表面的一部分露出的开口部(21)。
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公开(公告)号：CN103103507A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210450572.0
申请日：2012-11-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C18/31
Abstract: 本发明提供液量控制方法和液量控制装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质。其中，抑制水分从镀液蒸发带来的镀液的浓度和各种成分的状态变化，实现镀覆率和镀覆膜厚的稳定化。该装置具有如下：控制处于镀覆处理槽(2)内的处理液的液面上方的气体中的镀覆处理液的蒸气压的、作为蒸气压控制机构的超声波式加湿机(9)；按照使镀覆处理液的液面位置位于规定位置的方式控制作为蒸气压控制机构的超声波式加湿机(9)，且调节处理液量的电装控制单元(11)。
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公开(公告)号：CN102856458A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210088419.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供光半导体元件以及光半导体元件的制造方法。光半导体元件(10)包括：第1半导体层(12)，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层(13)，由第2导电型的半导体组成，并且在第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极(14a)，在第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极(14b)，在第2半导体层的上面形成，并且具有位于比第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极(52)，在第1电极的上面形成；第2连接电极(51)，在第2电极的上面形成；以及保护膜(15)，是覆盖第1半导体层的表面和第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使第1半导体层的表面的一部分露出的开口部(21)。
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公开(公告)号：CN103134456B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210470818.0
申请日：2012-11-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明提供一种膜厚测量方法及膜厚测量装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质。具有：针对由被上下层叠在绝缘膜(1)上的导电层(2、3)(层叠膜、例如Ni层以及其上的Au层)构成的半导体基板的电极，在利用触针测量高低差的情况、或者使用激光等情况下，利用公知方法测量导电层(2、3)的厚度(电极高度)的步骤；和利用四探针法测量电极的表面电阻的步骤，根据由两个步骤获得到的层叠膜的膜厚(电极高度)和表面电阻值，利用计算式算出由上下层叠的导电层(2、3)构成的电极的上部覆膜、即导电层(3)的膜厚。从而，能够以廉价的装置高速地测量电子元件的电极的导电性层叠膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN103134456A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210470818.0
申请日：2012-11-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明提供一种膜厚测量方法及膜厚测量装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质。具有：针对由被上下层叠在绝缘膜(1)上的导电层(2、3)(层叠膜、例如Ni层以及其上的Au层)构成的半导体基板的电极，在利用触针测量高低差的情况、或者使用激光等情况下，利用公知方法测量导电层(2、3)的厚度(电极高度)的步骤；和利用四探针法测量电极的表面电阻的步骤，根据由两个步骤获得到的层叠膜的膜厚(电极高度)和表面电阻值，利用计算式算出由上下层叠的导电层(2、3)构成的电极的上部覆膜、即导电层(3)的膜厚。从而，能够以廉价的装置高速地测量电子元件的电极的导电性层叠膜的膜厚。
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