公开(公告)号：CN112018167A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010083771.7

申请日：2020-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  金东灿 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  李泰渊 ,  林夏珍

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。

公开(公告)号：CN111081725A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910938386.3

申请日：2019-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  金局泰 ,  田钟珉 ,  许在成 ,  洪慧理

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换器，位于基底的像素区域中，以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子；信号发生器，在像素区域中位于基底的第一表面上，以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号；以及像素分离图案，从基底的第一表面到基底的与基底的第一表面相对的第二表面穿透基底，像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案，并且像素区域被像素分离图案围绕并与邻近像素区域隔离。

公开(公告)号：CN102130125A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010623026.3

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  金明宣 ,  郑会晟 ,  都晋昈 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  朱大权

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。

公开(公告)号：CN119230570A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410816379.7

申请日：2024-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳制亨 ,  林夏珍 ,  全宅洙

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，包括第一表面和与第一表面背对的第二表面，半导体基底还包括光电转换区域；传输栅极，设置在半导体基底的第一表面上；掩埋绝缘层，设置在半导体基底的第一表面上以覆盖传输栅极；以及像素隔离结构，设置在像素隔离沟槽中，像素隔离沟槽从半导体基底的第一表面朝向半导体基底的第二表面延伸，像素隔离沟槽穿过掩埋绝缘层，像素隔离结构限定半导体基底中的多个像素，像素隔离结构的一部分被掩埋绝缘层覆盖。

公开(公告)号：CN118412359A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410023653.5

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  李允基 ,  金智恩 ,  朴巨成 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  崔现圭 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/16

Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：第一基底，包括像素区域和与像素区域相邻的外围区域，像素区域包括呈二维阵列的多个像素；第一布线层，在第一基底的下表面上；抗反射层，具有第一折射率，抗反射层在第一基底的上表面上；以及滤色器，在抗反射层上与像素区域对应并且通过无金属栅格图案彼此间隔开。

公开(公告)号：CN115692423A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211405327.8

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  朴起宽 ,  金元洪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了集成电路装置及其制造方法。所述集成电路装置包括：第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构。

公开(公告)号：CN111477643A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010000398.4

申请日：2020-01-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全宅洙 ,  金起园 ,  严祥训 ,  尹琪重 ,  林夏珍

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/378

Abstract: 提供了一种具有改善的性能和更高集成度的图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有机光电转换层，所述第一有机光电转换层位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透通路，所述第一穿透通路连接到所述第一有机光电转换层，并且延伸穿过所述衬底；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底中并且与所述衬底的所述第二表面相邻；以及第一晶体管结构，所述第一晶体管结构位于所述衬底的所述第二表面上，其中，所述第一晶体管结构包括：被配置为连接所述第一穿透通路和所述第一浮置扩散区域的半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、以及位于所述半导体层与所述栅电极之间的栅极介电膜。

公开(公告)号：CN111403427A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201911116541.X

申请日：2019-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许在成 ,  金永倬 ,  林夏珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：多个滤色器，所述多个滤色器在半导体衬底上彼此间隔开；保护层，所述保护层覆盖所述滤色器的侧壁和所述滤色器的顶表面；以及低折射图案，所述低折射图案填充所述滤色器之间的空间。

公开(公告)号：CN111029349A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201910724515.9

申请日：2019-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括多个单元像素；堆叠结构，位于基底上；以及栅格图案，在堆叠结构上位于所述多个单元像素中的相邻单元像素之间。栅格图案包括下栅格图案和下栅格图案上的上栅格图案，下栅格图案包括氧化镧(LaO)、非晶硅(a-Si)或多晶硅(poly-Si)，上栅格图案包括导电材料。

公开(公告)号：CN106486380B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201610720187.1

申请日：2016-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  朴起宽 ,  李相烨 ,  李钟汉 ,  任廷爀 ,  洪慧理

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 制造半导体器件的方法被提供。所述方法可以包括：形成从衬底突出的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的顶表面和两侧壁的栅绝缘膜。栅绝缘膜可以包括高k电介质膜。所述方法还可以包括：在栅绝缘膜上形成含金属层；在含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；去除硅覆盖层中包含的氢原子的一部分；去除硅覆盖层和至少一部分含金属层；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。栅电极可以覆盖鳍型有源区的顶表面和两个侧壁。