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公开(公告)号：CN110854198A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910438194.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种逻辑开关器件及其制造方法。逻辑开关器件可以包括与栅电极相邻的畴转变层。畴转变层可以包括铁电材料区域和反铁电材料区域。畴转变层可以是非存储元件。逻辑开关器件可以包括沟道、都连接到沟道的源极和漏极、布置为面对沟道的栅电极、以及提供在沟道和栅电极之间的畴转变层。
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公开(公告)号：CN105280813B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510423238.X
申请日：2015-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/0895 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/41725 , H01L29/41775 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L31/028 , H01L31/113 , H01L33/04 , H01L33/26 , H01L33/34 , H01L45/04 , Y02E10/547
Abstract: 示例实施方式涉及石墨烯器件及其制造和操作方法以及包括该石墨烯器件的电子装置。石墨烯器件是多功能的器件。石墨烯器件可以包括石墨烯层和功能材料层。石墨烯器件可以在开关器件/电子器件的结构内具有存储器器件、压电器件和光电器件中的至少一种的功能。功能材料层可以包括电阻变化材料、相变材料、铁电材料、多铁性材料、多稳态分子、压电材料、发光材料和光敏材料中的至少一种。
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公开(公告)号：CN103996681B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310351533.X
申请日：2013-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/792 , H01L29/47 , H01L29/788 , H01L29/16 , H01L21/28 , H01L51/05 , G11C11/40 , G11C16/04 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C11/40 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L29/1606 , H01L29/47 , H01L29/7781 , H01L29/788 , H01L51/0512 , Y10S977/734 , Y10S977/938
Abstract: 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。
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公开(公告)号：CN102738237B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210101951.9
申请日：2012-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
Abstract: 本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
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公开(公告)号：CN102479804B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110389294.8
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0657 , H01L29/1606
Abstract: 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101964440B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010194822.X
申请日：2010-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03B15/006 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种振荡器及其操作方法。该振荡器利用磁畴壁的磁矩的进动来产生信号。振荡器包括具有磁畴壁的自由层和对应于磁畴壁的固定层。非磁性分隔层插置在自由层和固定层之间。
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公开(公告)号：CN103996681A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310351533.X
申请日：2013-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C11/40 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L29/1606 , H01L29/47 , H01L29/7781 , H01L29/788 , H01L51/0512 , Y10S977/734 , Y10S977/938
Abstract: 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。
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公开(公告)号：CN117202666A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310661589.9
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了存储器件以及包括该存储器件的电子装置。一种存储器件包括：多个栅电极，在第一方向上彼此间隔开；存储层，包括在垂直于第一方向的第二方向上突出和延伸以分别面对所述多个栅电极的多个存储区域；多个第一绝缘层，在所述多个栅电极之间延伸到在所述多个存储区域之间的空间；沟道层，设置在存储层和所述多个栅电极之间，沟道层具有包括围绕所述多个存储区域的多个第一区域和在第一方向上将所述多个第一区域彼此连接的第二区域的形状；以及栅极绝缘层，布置在沟道层和所述多个栅电极之间。
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公开(公告)号：CN108288625B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201711443369.X
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。
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公开(公告)号：CN115939195A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210916857.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电子器件，该电子器件包括：衬底，包括源极、漏极以及在源极和漏极之间的沟道；栅电极，布置在衬底上方并面向沟道，栅电极在第一方向上与沟道隔开；以及在沟道和栅电极之间的铁电薄膜结构，该铁电薄膜结构包括在第一方向上从沟道起顺序布置的第一铁电层、包括电介质材料的结晶阻挡层、和第二铁电层。第一铁电层的晶粒的尺寸的平均值可以小于或等于第二铁电层的晶粒的尺寸的平均值，并且由于小的晶粒，可以改善性能的离散。
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