公开(公告)号：CN106441326A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610643123.6

申请日：2016-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炫秀 ,  朴敬夏 ,  文公保 ,  田尚勋

IPC: G01C21/34 ,  G01C21/26 ,  H04W4/02

CPC classification number: H04W4/023 ,  G01C21/005 ,  G01C21/10 ,  G01C21/20 ,  H04W4/027 ,  H04W4/029 ,  H04W64/006 ,  G01C21/26 ,  G01C21/34 ,  G01C21/3415 ,  G01C21/343 ,  G01C21/3469 ,  G01C21/3492

Abstract: 提供一种提供路线信息的方法和用于处理路线信息的电子装置。执行所述方法的所述电子装置包括至少一个传感器、接收模块和路线信息提供模块，其中，所述方法包括：响应于检测到第一预定时间的发生，通过接收模块将当前位置确定为第一位置；当电子装置从第一位置开始移动时，通过所述至少一个传感器获取移动信息；在从第一位置开始移动之后，响应于第二预定事件的发生，通过接收模块将新的当前位置确定为第二位置，其中，将新的当前位置确定为第二位置的步骤包括获取与第二位置相应的地理位置信息；基于获取的移动信息的至少一部分和地理位置信息的至少一部分，产生与第一位置和第二位置之间的至少一个间隔相应的路线信息。

公开(公告)号：CN102253764B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201110033974.6

申请日：2011-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  朴星昊 ,  宋利宪 ,  田尚勋

IPC: G06F3/042

CPC classification number: H03K17/78 ,  H03K17/941

Abstract: 示例实施例针对于光感测电路、操作光感测电路的方法和包括光感测电路的光感测设备。光感测电路包括感测光的光敏氧化物半导体晶体管；以及切换晶体管，与光感测晶体管串联，并被配置为输出数据。在待命时间期间，低电压被施加到切换晶体管，并且高电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管，当输出数据时，高电压施加到切换晶体管，并且低电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管。

公开(公告)号：CN102065247B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201010525974.3

申请日：2010-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  郑佑仁 ,  申在光 ,  金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  田尚勋

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/341 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3745

Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。

公开(公告)号：CN102903753A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210090456.2

申请日：2012-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  柳寅敬 ,  金昌桢 ,  金英培

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/221 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/685 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：绝缘衬底；沟道层，在绝缘衬底上；栅极，从沟道层的上表面至少部分地延伸到沟道层中；源极和漏极，在沟道层上分别在栅极的相对两侧；栅绝缘层，围绕栅极且将栅极与沟道层、源极和漏极电绝缘；以及可变电阻材料层，在绝缘衬底与栅极之间。

公开(公告)号：CN102065247A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010525974.3

申请日：2010-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  郑佑仁 ,  申在光 ,  金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  田尚勋

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/341 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3745

Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。

公开(公告)号：CN100483716C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410076664.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28282

Abstract: 提供一种SONOS存储装置及其制造方法。SONOS存储装置包括基材以及形成在该基材上并具有开关和数据存储功能的多功能装置。多功能装置包括第一和第二杂质区、形成在第一和第二杂质区之间的沟道、以及形成在沟道上用于数据存储的堆栈材料。用于数据存储的堆栈材料是通过依次将隧道氧化物层、存储数据的存储节点层、阻挡层、以及电极层堆叠而成。

公开(公告)号：CN101179077A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710165725.6

申请日：2007-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  姜昌锡 ,  崔正达 ,  朴镇泽 ,  孙雄喜 ,  郑元晳

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11546 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 一种非易失性存储器件包括：包括有单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅，以及在所述外围电路区上的外围电路栅极，其中所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述外围电路栅极包括所述半导体衬底上的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的欧姆层以及所述欧姆层上的导电层。

公开(公告)号：CN1841683A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610068130.4

申请日：2006-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金奎植 ,  金桢雨 ,  朴星昊 ,  闵若瑟 ,  韩祯希

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。

公开(公告)号：CN1825628A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN115050752A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210219026.X

申请日：2022-03-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 车映官 ,  朴宰彻 ,  田尚勋

IPC: H01L27/1159 ,  H01L27/11597

Abstract: 提供了具有三维堆叠结构的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个沟道结构，在基板上并布置成三维阵列；多个栅电极，在平行于基板的方向上延伸；以及多个源电极和漏电极，在垂直于基板的方向上延伸。栅电极连接到在平行于基板的方向上排列的沟道结构，源电极和漏电极连接到在垂直于基板的方向上排列的沟道结构。沟道结构包括沟道层和在沟道层上的铁电层。