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公开(公告)号：CN101221924A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810002602.5
申请日：2008-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/82
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器件及其形成方法。该铁电存储器件的形成包括：在具有导电区的衬底上形成绝缘层；在该绝缘层上形成电连接到该导电区的底部电极；对该绝缘层进行挖槽；以及在该挖槽的绝缘层上形成用于覆盖该底部电极的铁电层和上部电极层。该底部电极突出在该挖槽的绝缘层的上表面之上。
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公开(公告)号：CN1782005A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510090552.7
申请日：2005-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/314
CPC classification number: C03C19/00 , C03C2218/328 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成电容器表面的方法。该浆料可以包括研磨剂、氧化剂以及控制浆料的pH的至少一种pH控制剂。
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公开(公告)号：CN1740396A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510088504.4
申请日：2005-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23F1/16
CPC classification number: C23F1/28 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23F1/16 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01F41/308 , H01F41/34 , H01L21/32134 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN1475540A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02150501.2
申请日：2002-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02
Abstract: 一种CMP(化学/机械抛光)浆，它能够以高的选择性，快速去除目标层，并能够有效钝化抛光停止层。一方面，CMP浆包含金属氧化物研磨颗粒、去除加速剂、分子量为约1,000到约100,000的阴离子聚合物钝化剂、C1－C12阴离子钝化剂和水。
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公开(公告)号：CN1051400C
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：CN94115591.9
申请日：1994-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/0245 , C23C16/402 , C23C16/44 , H01L21/02271 , H01L21/02315 , H01L21/31051 , H01L21/31608
Abstract: 一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的CVD设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1224927A
公开(公告)日：1999-08-04
申请号：CN99100336.5
申请日：1999-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪昌基
IPC: H01L21/76 , H01L21/762
Abstract: 公开了一种在半导体基片上形成隔离沟槽的方法,形成无孔隙隔离,防止在以后的蚀刻步骤中在沟槽的边缘产生凹陷。依此方法,在基片上形成沟槽形成掩模,该沟槽形成掩模由具有不同的蚀刻速率的第一和第二材料层组成。使用沟槽形成掩模蚀刻基片,形成沟槽,接着经湿法腐蚀去掉第一材料层的两侧壁,以形成沟槽形成掩模的钻蚀截面。最后,在基片上淀积沟槽填充绝缘层,填满沟槽形成掩模,其中沟槽填充绝缘层在第一材料层的侧壁处的淀积速度慢于在沟槽的内部的淀积速度。
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公开(公告)号：CN1073551A
公开(公告)日：1993-06-23
申请号：CN92112536.4
申请日：1992-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/02129 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/31625 , H01L21/76826 , H01L21/76834
Abstract: 本发明的目的在于通过遮断与硫酸蒸汽及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤：在形成元件的半导体基板上沉积含有高浓度的硼素及亚磷的绝缘膜的步骤，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理的步骤，以及在低温下进行回流处理的步骤。
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公开(公告)号：CN101643648B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200910164078.6
申请日：2009-08-10
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。
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公开(公告)号：CN101345209B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810131102.1
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/304 , C09G1/02 , C09G1/16
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1941310B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610139968.8
申请日：2006-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/7684 , H01L27/10873 , H01L27/10885
Abstract: 一种制作自对准接触焊盘的方法，包括：在半导体衬底上形成导电线和覆盖层的叠层，并形成覆盖叠层的侧壁的间隔层和填充叠层之间的间隙并暴露覆盖层的顶部的绝缘层；刻蚀覆盖层以形成波纹状凹槽；以与覆盖层的材料不同的材料形成多个第一刻蚀掩模以填充波纹状凹槽，而不覆盖绝缘层顶部；以及形成具有开口区的第二刻蚀掩模，所述开口区暴露出第一刻蚀掩模的一些以及绝缘层中位于第一刻蚀掩模之间的那部分。
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