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公开(公告)号：CN115706113A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210935223.1
申请日：2022-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源区，在衬底上沿第一方向延伸；栅电极，在衬底上与有源区相交，沿第二方向延伸，并包括向上突出的接触区；以及互连线，在栅电极上并与接触区连接，其中，接触区包括：下部区，在第二方向上具有第一宽度；以及上部区，位于下部区上并且在第二方向上具有比第一宽度小的第二宽度，其中接触区在第二方向上的至少一个侧表面具有在下部区和上部区之间的点，在该点处倾斜度或曲率改变。
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公开(公告)号：CN115440662A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210135336.3
申请日：2022-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底上的有源图案；所述有源图案上的源/漏图案；被连接到所述源/漏图案的沟道图案；所述沟道图案上的栅电极；所述源/漏图案上的有源接触部；所述栅电极上的第一下互连线；以及在所述有源接触部上并且与所述第一下互连线在相同高度上的第二下互连线。栅电极可以包括电极主体部和电极突起部，其中电极突起部从所述电极主体部的顶表面突起并且与其上方的第一下互连线接触。有源接触部可以包括接触主体部和接触突起部，其中接触突起部从所述接触主体部的顶表面突起并且与其上方的第二下互连线接触。
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公开(公告)号：CN112542764A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010283088.8
申请日：2020-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01S5/0232 , H01S5/02345 , H01S5/02255 , H01S5/026 , G02F1/29
Abstract: 提供了一种光学调制器，包括：多个单元体；有源层，包括彼此分离的多个折射率变化区域，所述多个折射率变化区域中的每个折射率变化区域具有基于向其施加的电信号而变化的折射率；多个天线图案，设置在所述有源层上方；以及镜层，与所述多个天线图案相对地设置在所述有源层下方。
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公开(公告)号：CN110875305A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910783932.0
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件可包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，横跨有源图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；源极/漏极图案，在有源图案上并与栅电极的一侧相邻；有源接触件，在暴露源极/漏极图案的接触孔中；绝缘图案，填充设置有有源接触件的接触孔的剩余空间；第一通孔，在有源接触件上；以及第二通孔，在栅电极上。有源接触件可包括填充接触孔的下部的第一段以及从第一段垂直地突出的第二段。第一通孔连接到第二段。绝缘图案在第一方向上与第二通孔相邻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110031989A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811177146.8
申请日：2018-10-10
IPC: G02F1/017
Abstract: 提供了一种量子点(QD)光调制器以及包括该QD光调制器的装置。QD光调制器可以包括：含QD层，包括具有发光特性的QD；折射率变化层，与含QD层相邻地布置；以及反射器，布置为面对含QD层。折射率变化层可以包括其中载流子密度变化的载流子密度变化区，并且载流子密度变化区可以与含QD层相邻地布置。含QD层的发光特性可以根据折射率变化层的性质的变化来调制。QD光调制器还可以包括布置在含QD层上的纳米天线结构。
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公开(公告)号：CN101144977B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200710096093.2
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B29C59/022 , B29C33/424 , B29C33/56 , B29C35/0888 , B29C2035/0827 , B29C2059/023 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 提供了一种纳米压印模子及其制造方法，其能够用于将纳米级结构复制到聚合物薄膜。所述纳米压印模子包括：基板，由能够穿过紫外线的材料制成；形成在所述基板上的含有凸凹图案的图案部分，该图案部分由紫外线固化聚合物制成；在所述图案部分的表面上的硬化层，所述硬化层由具有比所述图案部分更高的硬度的材料形成；以及形成在所述硬化层的表面上的分离层，该分离层有助于将聚合物薄膜与其分离。在本发明的纳米压印模子中，甚至可以将原始图案均匀复制在具有不规则表面的基板上。此外，能够防止图案被压力所损坏以及被合成树脂所污染，导致了更高的精度和图案的耐久性。
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公开(公告)号：CN118693083A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410191892.1
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/538 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有主表面和在竖直方向上从主表面突出并在第一水平方向上纵向延伸的鳍型有源区域；栅极线，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此平行地延伸，并且与鳍型有源区域交叉；源极/漏极区域，在鳍型有源区域上位于栅极线之间；栅极间绝缘层，在栅极线之间且覆盖源极/漏极区域；有源接触件，在源极/漏极区域上并与源极/漏极区域接触；以及掩埋绝缘块，位于在第二水平方向上的相邻源极/漏极区域之间，掩埋绝缘块穿透栅极间绝缘层的至少一部分并具有与有源接触件中的第一有源接触件接触的顶表面。
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公开(公告)号：CN111048486B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910857746.7
申请日：2019-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L29/78
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在所述栅电极的一侧位于所述衬底上；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。
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公开(公告)号：CN109801971B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811345083.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：基板，包括第一有源图案，第一有源图案从基板的顶表面垂直地突出；第一源极/漏极图案，填充形成在第一有源图案的上部分中的第一凹陷；第一金属硅化物层，在第一源极/漏极图案上，第一金属硅化物层包括位于第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分；以及第一接触，与第一金属硅化物层的第二部分接触。第一部分的厚度可以不同于第二部分的厚度。
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