公开(公告)号：CN105280494B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201510395337.1

申请日：2015-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全辉璨 ,  裵德汉 ,  宋炫升 ,  河承锡

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开的实施方式涉及一种制造包括场效应晶体管的具有改善的电特性半导体器件。根据本公开的实施方式，自对准接触插塞可以利用设置在栅部分上的金属硬掩模部分有效地形成。另外，用于形成自对准接触插塞的光致抗蚀剂掩模的工艺裕度可以通过利用金属硬掩模部分而得以改善。

公开(公告)号：CN111048486B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910857746.7

申请日：2019-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  宋炫升 ,  卢永昌 ,  申宪宗 ,  刘素罗 ,  郑涌植

IPC: H01L23/528 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在所述栅电极的一侧位于所述衬底上；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。

公开(公告)号：CN104347690B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201410369696.5

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟银 ,  金东铉 ,  宋炫升

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括从衬底上突出的鳍部。鳍部包括基部、位于基部上的中间部和位于中间部上的沟道部。中间部的宽度小于基部的宽度而大于沟道部的宽度。栅电极覆盖沟道部的两个侧壁和上表面，器件绝缘图案覆盖基部的两个侧壁和中间部的两个侧壁。

公开(公告)号：CN111048486A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910857746.7

申请日：2019-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  宋炫升 ,  卢永昌 ,  申宪宗 ,  刘素罗 ,  郑涌植

IPC: H01L23/528 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在所述栅电极的一侧位于所述衬底上；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。

公开(公告)号：CN110858563A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910782648.1

申请日：2019-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋炫升 ,  李斗铉 ,  李允逸 ,  张在兰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源鳍；栅结构，在第二方向上延伸以与有源鳍相交；有源鳍上的源/漏区；源/漏区上的金属硅化物层；金属硅化物层上的填充绝缘部分，填充绝缘部分具有与金属硅化物层的一部分相连接的接触孔；金属硅化物层与填充绝缘部分之间的保护阻挡层；以及接触孔中的接触插塞，电连接到金属硅化物层的所述部分。

公开(公告)号：CN105280494A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510395337.1

申请日：2015-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全辉璨 ,  裵德汉 ,  宋炫升 ,  河承锡

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开的实施方式涉及一种制造包括场效应晶体管的具有改善的电特性半导体器件。根据本公开的实施方式，自对准接触插塞可以利用设置在栅部分上的金属硬掩模部分有效地形成。另外，用于形成自对准接触插塞的光致抗蚀剂掩模的工艺裕度可以通过利用金属硬掩模部分而得以改善。

公开(公告)号：CN104347690A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410369696.5

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟银 ,  金东铉 ,  宋炫升

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7853 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括从衬底上突出的鳍部。鳍部包括基部、位于基部上的中间部和位于中间部上的沟道部。中间部的宽度小于基部的宽度而大于沟道部的宽度。栅电极覆盖沟道部的两个侧壁和上表面，器件绝缘图案覆盖基部的两个侧壁和中间部的两个侧壁。