公开(公告)号：CN104347690A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410369696.5

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟银 ,  金东铉 ,  宋炫升

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7853 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括从衬底上突出的鳍部。鳍部包括基部、位于基部上的中间部和位于中间部上的沟道部。中间部的宽度小于基部的宽度而大于沟道部的宽度。栅电极覆盖沟道部的两个侧壁和上表面，器件绝缘图案覆盖基部的两个侧壁和中间部的两个侧壁。

公开(公告)号：CN104347690B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201410369696.5

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟银 ,  金东铉 ,  宋炫升

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括从衬底上突出的鳍部。鳍部包括基部、位于基部上的中间部和位于中间部上的沟道部。中间部的宽度小于基部的宽度而大于沟道部的宽度。栅电极覆盖沟道部的两个侧壁和上表面，器件绝缘图案覆盖基部的两个侧壁和中间部的两个侧壁。