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公开(公告)号：CN1389917A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02121733.5
申请日：2002-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种包括温度传感器电路的、用于集成电路器件的时钟发生电路,该温度传感器电路包括响应温度编码信号的校准电路和温度传感器。该温度传感器电路具有温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的第一或测试模式、和温度输出信号是基于温度传感器和校准电路的第二或正常工作模式。时钟周期控制器电路包括响应周期编码信号的校准电路。该时钟周期控制器电路根据温度输出信号和时钟周期控制器电路的校准电路生成周期控制信号。时钟发生器电路根据周期控制信号生成时钟信号。还提供了集成电路存储器件和控制存储器件的刷新周期的方法。
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公开(公告)号：CN117545276A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310968130.3
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H10B41/41 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/23 , H10B41/23 , G11C5/06 , G11C16/04 , G11C16/06 , G11C5/02
Abstract: 本公开提供了串行栅极晶体管和包括串行栅极晶体管的非易失性存储器设备。在一些实施例中，非易失性存储器设备包括：多个存储器块、多个通道晶体管块、以及在半导体衬底上方在栅极区域中沿水平方向顺序排列的多个栅极。多个通道晶体管块中的每一个包括被配置为将多个驱动信号传送到多个存储器块中的相应存储器块的多个串行栅极晶体管。多个串行栅极晶体管中的每一个包括在半导体衬底处沿水平方向顺序排列的第一源极‑漏极区域、栅极区域和第二源极‑漏极区域。多个栅极彼此电去耦。分别施加到多个栅极的多个块选择信号彼此独立地控制。
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公开(公告)号：CN105097034B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201510242148.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储系统以及存储控制器的操作方法。该非易失性存储系统包括存储控制器和具有多个存储单元的非易失性存储装置。存储控制器被构造为对时钟计数以生成当前时间、在断电状态下在所述多个存储单元中的预定存储单元中编程虚拟数据、当在断电状态之后出现上电状态时检测预定存储单元的电荷逸失，并基于检测到的电荷逸失来恢复当前时间。
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公开(公告)号：CN103106924B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201210375708.6
申请日：2012-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C2211/563
Abstract: 一种非易失性存储器件的软判决读取方法包含：接收软判决读取命令；向被选字线施加读取电压；对分别连接到该被选字线的被选存储单元的位线进行预充电；以及连续地感测该被选存储单元的状态。位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压在感测被选存储单元的状态期间不改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101290933B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810125814.2
申请日：2008-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/7436
Abstract: 一种包括输入/输出端结构和电流放电结构的静电放电(ESD)保护装置。该电流放电结构包括通过栅极电极与桥接区分离的导电区，形成在该导电区下面的阱区，通过另一个导电区与该阱区分离的另一个阱区，和通过另一个阱区实施双电流放电路径的多个附加的导电区。
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公开(公告)号：CN100541781C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610108738.5
申请日：2006-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 一种用于静电放电(ESD)保护的可控硅整流器(SCR)包括隔离设备。该隔离设备将连接到第一阴极的主地电压线与连接到第二阴极的外围地电压线相隔离。结果，即使当在集成电路的操作期间在外围地电压线中发生噪声时，主地电压线也维持稳定的电压电平。
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公开(公告)号：CN101231882A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710307761.1
申请日：2007-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C11/4096 , G11C11/408 , G11C11/4091
Abstract: 提供了一种半导体集成电路及其操作方法。一个实施例包括多条字线、多条源极线、与所述多条字线交叉的多条位线，以及在多条字线和多条位线的交叉点形成的多个存储器单元。所述多个存储器单元的每一个为浮置体单元。每个浮置体单元的栅极连接到字线之一，每个浮置体单元的漏极连接到位线之一，并且每个浮置体单元的源极连接到源极线之一。至少一个位线和源极线选择电路被配置成选择性地将多条位线中的每一条连接到第一输出位线，并且选择性地将源极线连接到源极电压。至少一个读出放大器被配置成基于第一输出位线上的电压读出数据。
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公开(公告)号：CN101150132A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710087961.0
申请日：2007-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/105 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823885 , H01L27/092 , H01L27/105 , H01L27/1052
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：NMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直p沟道区的p+多晶硅栅电极；和PMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直n沟道区的n+多晶硅栅电极。该NMOS和PMOS垂直沟道晶体管任选地在CMOS操作模式下可工作。
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公开(公告)号：CN1297006C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN02121733.5
申请日：2002-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种包括温度传感器电路的、用于集成电路器件的时钟发生电路，该温度传感器电路包括响应温度编码信号的校准电路和温度传感器。该温度传感器电路具有温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的第一或测试模式和温度输出信号是基于温度传感器和校准电路的第二或正常工作模式。时钟周期控制器电路包括响应周期编码信号的校准电路。该时钟周期控制器电路根据温度输出信号和时钟周期控制器电路的校准电路生成周期控制信号。时钟发生器电路根据周期控制信号生成时钟信号。还提供了集成电路存储器件和控制存储器件的刷新周期的方法。
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