公开(公告)号：CN109698110A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811235291.7

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  姜姓佶 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  舆石公 ,  V.帕什科夫斯基 ,  许桄熀

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32596 ,  H01J1/025 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。

公开(公告)号：CN109698109A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811228077.9

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永光 ,  姜姓佶 ,  南象基 ,  许桄熀 ,  韩奎熙

IPC: H01J37/32

Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源，电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔，孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体，使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。

公开(公告)号：CN119626880A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202410445113.6

申请日：2024-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜璨秀 ,  姜大元 ,  金敏周 ,  金泰铉 ,  南象基 ,  成德镛 ,  梁正模 ,  吴世真 ,  林建熙 ,  任埈澔

IPC: H01J37/32

Abstract: 衬底加工装置包括提供加工空间的加工室、位于加工室中并被配置为支撑衬底的工作台、耦合到加工室的一侧的窗口、以及耦合到窗口的一侧表面的闪烁体层。闪烁体层覆盖窗口的一侧表面的一部分，该部分小于整个窗口表面。与窗口的一侧表面的另一部分相对应的第二表面被暴露。由加工空间中的等离子体发射的光穿过窗口并由光学系统收集并进行分析。穿过闪烁体的紫外光被转换为更长波长的光，通常是可见光。将穿过裸露窗口的光与穿过闪烁体层的光进行比较可以对等离子体进行分析。

公开(公告)号：CN119581357A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411001065.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴智兑 ,  李光镐 ,  印成晋 ,  林建煕 ,  金允载 ,  金一宇 ,  南象基 ,  吴世真

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体工艺设备包括：包括腔室的壳体，基板在腔室中被处理；观察口，在壳体的侧壁中；适配器，配置为接收反射光，其中从腔室内部产生的等离子体产生的光在提供于基板的上表面上的结构的表面上的目标位置处被反射；偏振分束器，配置为将从适配器接收的反射光分离成P偏振光和S偏振光；分光镜，配置为分析P偏振光和S偏振光的光谱；以及控制单元，配置为基于分析光谱的结果、基于P偏振光和S偏振光中的每个在一个或更多个波长处随时间的发光强度来监测结构的厚度。

公开(公告)号：CN115954253A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211207798.8

申请日：2022-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任昶淳 ,  金永焘 ,  姜大元 ,  姜璨秀 ,  金炅显 ,  南象基 ,  李均进 ,  张圣虎 ,  皮宗勋

IPC: H01J37/32 ,  G01R31/00

Abstract: 一种用于电弧诊断的设备包括第一VI传感器和第二VI传感器、光学传感器和电弧检测器。第一VI传感器设置在电力过滤器中或者设置在连接至设置在工艺室的下电极中的加热器的电源线上，在工艺室中执行等离子体工艺。第一VI传感器感测从向下电极供电的第一电源生成的谐波并且输出第一信号。光学传感器感测从工艺室生成的光的强度并且输出第二信号。第二VI传感器设置在连接至上电极的电源线上并且感测从向上电极供电的第二电源生成的谐波并且输出第三信号。电弧检测器基于第一信号、第二信号和第三信号中的一个或多个确定是否出现电弧。

公开(公告)号：CN115274390A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210291022.2

申请日：2022-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹贵玹 ,  南象基 ,  徐权相 ,  张圣虎 ,  高廷旼 ,  金南均 ,  金泰铉 ,  白承翰 ,  安昇彬 ,  梁正模 ,  李昌宪 ,  全康民

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体约束环、包括该等离子体约束环的半导体制造设备以及使用该半导体制造设备制造半导体装置的方法。所述等离子体约束环包括下环、在下环上的上环以及延伸以将下环连接到上环的连接环。下环包括在下环的中心处竖直地穿透下环的下中心孔以及在下中心孔外部的区域中穿透下环的至少一个狭缝。狭缝被构造为在更靠近下环的中心的第一部分处比在更远离下环的中心的第二部分处通过更大量的空气或气体。

公开(公告)号：CN110867361A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910534236.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永焘 ,  林成龙 ,  姜璨秀 ,  权度勋 ,  金敏周 ,  南象基 ,  梁正模 ,  皮宗勋 ,  韩奎熙

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/32

Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。