存储器装置
    23.
    发明公开
    存储器装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119835937A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411104438.4

    申请日:2024-08-13

    Abstract: 提供了存储器装置。所述存储器装置包括:多个子阵列区域,在第一水平方向和第二水平方向上间隔布置,并且每个子阵列区域包括多个存储器单元,第一水平方向与第二水平方向交叉;虚设区域,设置在所述多个子阵列区域之间,虚设区域包括在第一层处在第一水平方向上延伸的第一金属图案、在第一金属图案的第一部分上在竖直方向上延伸的第一下接触件、以及在第一金属图案的第二部分上在竖直方向上延伸的第二下接触件;以及外围电路区域,包括连接到第一下接触件的第一上接触件、连接到第一上接触件的第一电路、连接到第二下接触件的第二上接触件、以及连接到第二上接触件的第二电路。

    半导体装置、用于操作半导体装置的方法和计算系统

    公开(公告)号:CN117116314A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310588030.8

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 提供半导体装置、用于操作半导体装置的方法和计算系统。所述半导体装置包括:数据时钟信号生成器电路,被配置为输出多个数据时钟信号,所述多个数据时钟信号具有不同相位并且用于生成存储器装置的多个内部数据时钟信号;数据发送器,被配置为基于被转变一次的测试模式来生成数据信号,根据延迟值来延迟被转变一次的数据信号,并且将数据信号输出到存储器装置;数据接收器,被配置为从存储器装置接收输出信号,输出信号包括第一采样数据,第一采样数据通过基于来自所述多个内部数据时钟信号的第一内部数据时钟信号对数据信号进行采样而获得;以及训练电路,被配置为基于第一采样数据来改变延迟值并且确定延迟值的最终值。

    半导体装置
    25.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117095712A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202310560480.6

    申请日:2023-05-17

    Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括:时钟生成电路,被配置为将具有不同相位的多个时钟信号输出给存储器装置,存储器装置的内部时钟信号响应于所述多个时钟信号被生成;以及训练电路,被配置为从存储器装置接收基于内部时钟信号输出的输出信号,调整用于通过调整所述多个时钟信号之中的至少一个时钟信号的相位来生成内部时钟信号的码的值,基于输出信号的占空比来确定所述码的最终值,并且将所述最终值写入存储器装置,输出信号的占空比根据所述码的值的调整而改变。

    平面T型线圈和包括平面T型线圈的集成电路

    公开(公告)号:CN115642154A

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202210754158.2

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 一种集成电路包括:T型线圈,形成在第一金属层中,其中,T型线圈可以包括:第一电感器,连接到第一端子和第二端子;以及第二电感器,连接到第二端子和第三端子,其中,第一电感器和第二电感器可以分别包括第一图案和第二图案,第一图案和第二图案从第一金属层中的第二端子沿第一方向彼此平行地延伸,并且其中,第一图案和第二图案可以形成T型线圈的桥式电容器。

    半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统

    公开(公告)号:CN115223616A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202111620870.5

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括正交误差校正电路、时钟生成电路和数据输入/输出(I/O)缓冲器。正交误差校正电路通过调节基于数据时钟信号生成的第一时钟信号至第四时钟信号的偏移和占空比误差来执行锁定操作以生成第一校正时钟信号和第二校正时钟信号,并且响应于重新锁定信号执行重新锁定操作以将第二校正时钟信号锁定到第一校正时钟信号。时钟生成电路基于第一校正时钟信号和第二校正时钟信号来生成输出时钟信号和选通信号。数据I/O缓冲器通过基于输出时钟信号对来自存储器单元阵列的数据进行采样来生成数据信号,并且将数据信号和选通信号发送到存储器控制器。

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