公开(公告)号：CN116092554A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211171080.8

申请日：2022-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安贤雅 ,  俞昌植 ,  朴珍宽 ,  尹声雨

IPC: G11C11/56

Abstract: 一种多路选择器包括：第一反相器，所述第一反相器用于接收第一数据并使所述第一数据反相；第二反相器，所述第二反相器用于接收第二数据并使所述第二数据反相；以及第一驱动器，所述第一驱动器连接到所述第一反相器的输出端并且连接到所述第二反相器的输出端。所述第一驱动器被配置为输出所述第一数据或所述第二数据作为输出数据。

公开(公告)号：CN116131826A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211424447.2

申请日：2022-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹声雨 ,  朴珍宽 ,  安贤雅

IPC: H03K7/08

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括多个脉冲宽度调制电路，其中，各个脉冲宽度调制电路包括：第一反相器，用于将时钟信号反相并输出第一反相信号；或非门，用于对第一反相信号和第一逻辑信号执行或非运算并输出第二逻辑信号；以及第二反相器，用于将第二逻辑信号反相并输出第二反相信号。对于多个脉冲宽度调制电路之中的两个相邻的脉冲宽度调制电路，一个脉冲宽度调制电路的时钟信号相对于所述两个相邻的脉冲宽度调制电路之中的另一个脉冲宽度调制电路的时钟信号延迟预定相位，并且所述一个脉冲宽度调制电路的第二逻辑信号是所述另一个脉冲宽度调制电路的第一逻辑信号。

公开(公告)号：CN115642154A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210754158.2

申请日：2022-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍宽 ,  金壮厚 ,  朴沦石 ,  成侑昶 ,  俞昌植 ,  任政燉

IPC: H01L27/02 ,  H10N97/00

Abstract: 一种集成电路包括：T型线圈，形成在第一金属层中，其中，T型线圈可以包括：第一电感器，连接到第一端子和第二端子；以及第二电感器，连接到第二端子和第三端子，其中，第一电感器和第二电感器可以分别包括第一图案和第二图案，第一图案和第二图案从第一金属层中的第二端子沿第一方向彼此平行地延伸，并且其中，第一图案和第二图案可以形成T型线圈的桥式电容器。

公开(公告)号：CN119007766A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410048625.9

申请日：2024-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍宽 ,  权旲炫 ,  金壮厚 ,  裵昶贤 ,  成侑昶 ,  柳慧承

IPC: G11C7/12

Abstract: 提供了一种存储器模块和电子系统。存储器模块包括多个存储器件。多个存储器件中的每一者包括多个数据输入/输出焊盘；多个片内端接电路，多个片内端接电路中的每一者包括一个或更多个电阻器；多个收发器电路，多个收发器电路中的每一者包括一个或更多个发送驱动器和一个或更多个接收缓冲器；和多个均衡器电路，多个均衡器电路中的每一者包括一个或更多个电感器。多个均衡器电路中的每一者连接到多个数据输入/输出焊盘之一、多个片内端接电路之一和多个收发器电路之一。一个或更多个发送驱动器中的每一者驱动多个数据输入/输出焊盘之一的节点。一个或更多个电感器的电感具有基于一个或更多个发送驱动器中的每一者的驱动器强度的单独的值。

公开(公告)号：CN117438409A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310715013.6

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在弼 ,  金俊培 ,  朴珍宽

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括基底、包括布置在基底上的电路元件的元件层、在元件层上的布线层和在布线层上的再分布层。再分布层可以包括再分布绝缘层和在再分布绝缘层上的再分布导电层。再分布导电层可以包括：连接垫；以及第一电感器结构和第二电感器结构，分别包括具有平面线圈形状的第一电感器再分布线和第二电感器再分布线。分别包括在第一电感器结构和第二电感器结构中的第一电感器再分布线和第二电感器再分布线可以具有不同厚度。