公开(公告)号：CN105264644A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480031035.X

申请日：2014-05-02

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明是一种硅系基板，其用以在表面形成氮化物系化合物半导体层，其特征在于，其具有：第一部分，该第一部分具有第一杂质浓度且位于所述硅系基板的表面侧；及，第二部分，该第二部分具有比前述第一杂质浓度高的第二杂质浓度，且位于所述硅系基板的比前述第一部分更内侧处；并且，前述第一杂质浓度是1×1014原子/原子cm3以上且未满1×1019原子/cm3。由此，提供一种硅系基板，其可改善基板的翘曲，并良好地维持形成于上层的氮化物系化合物半导体层的结晶性。

公开(公告)号：CN104303268A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380024651.8

申请日：2013-04-19

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/167 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种外延基板，其特征在于，其具备：硅基板，其以4×1017cm－3以上且6×1017cm－3以下的浓度含有氧原子，且以5×1018cm－3以上且6×1019cm－3以下的浓度含有硼原子；及，半导体层，其配置于硅基板上，并且由具有与硅基板不同的热膨胀系数的材料所构成。由此，可提供一种外延基板，所述外延基板可抑制由于硅基板与半导体层之间的应力所导致的翘曲的产生。

公开(公告)号：CN104115258A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380009855.4

申请日：2013-02-14

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/3228 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明具备硅系基板(11)与外延生长层(12)，其中外延生长层(12)具有晶格常数和热膨胀系数彼此相异的第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层交互积层而成的结构，并以在外缘部中的膜厚逐渐变薄的方式被配置在硅系基板(11)上。由此，本发明提供一种抑制外缘部发生裂痕的外延基板、半导体装置及这种半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN110707076B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201810816627.2

申请日：2018-07-24

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  韦宁

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括：外延层；过渡层，该过渡层连接到该外延层；以及旁路部件，该旁路部件连接到该过渡层；其中，该单极性部件和该旁路部件并联，并且该过渡层配置在该单极性部件与该旁路部件之间。

公开(公告)号：CN107112242B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201580072647.8

申请日：2015-12-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  鹿内洋志

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。

公开(公告)号：CN111785694A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201910271303.X

申请日：2019-04-04

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  熊仓弘道 ,  马场良平 ,  山田辽太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN111785693A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201910270551.2

申请日：2019-04-04

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  熊仓弘道 ,  马场良平 ,  山田辽太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括从所述基板表面起依次层叠设置的氧化膜、磷硅酸盐玻璃(PSG)以及第一非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN109309118A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201710670126.3

申请日：2017-08-08

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 川口博子 ,  鹿内洋志 ,  熊仓弘道 ,  工藤真二 ,  田中雄季

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0684 ,  H01L21/0455

Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。

公开(公告)号：CN108987456A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710437128.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。

公开(公告)号：CN105247665A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480031054.2

申请日：2014-05-02

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明是一种半导体装置，其特征在于，其具有：硅系基板；第一缓冲层，该第一缓冲层设置于前述硅系基板上，由含有Al成份的第一层与Al含量比前述第一层少的第二层交互积层而成；第二缓冲层，该第二缓冲层设置于前述第一缓冲层上，由含有Al成份的第三层与Al含量比前述第三层少的第四层交互积层而成；及，第三缓冲层，该第三缓冲层设置于前述第二缓冲层上，由含有Al成份的第五层与Al含量比前述第五层少的第六层交互积层而成；并且，整体来说，前述第二缓冲层的Al含量，比前述第一缓冲层和前述第三缓冲层多。由此，提供一种半导体装置，其可减低施加在缓冲层上的应力，并抑制漏电流、改善有源层顶面的平坦性。