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公开(公告)号：CN102868384B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210399267.3
申请日：2012-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微机械谐振器，所述微机械谐振器至少包括：构成惠斯通电桥结构的谐振振子对，其中，所述谐振振子对包括两个具有轴对称结构的谐振振子结构、主支撑梁、第一耦合梁、第一锚点、第二锚点、驱动电极。与传统的电容驱动-压阻检测微机械谐振器相比，本发明利用差分电容激励驱动组成惠斯通电桥的两个谐振振子结构工作，消除输出信号中混有的电容信号，以获得单纯的压阻信号；同时，本发明利用耦合结构将惠斯通电桥的两个谐振振子结构耦合起来，由于耦合结构使两个谐振振子结构连接为一体运动，消除了输出信号中出现两个谐振频率的问题；进一步，本发明结构简单，输出信号大，灵敏度高，受温度影响小。
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公开(公告)号：CN104810425A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410035671.1
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/022466 , H01L31/1884
Abstract: 本发明提供一种紫外探测器及其制作方法，该探测器从下而上依次由绝缘衬底、下电极、紫外敏感薄膜、金属上电极和石墨烯透明电极构成。所述下电极分为两种：一种是由单金属或复合金属薄膜；另一种下电极由透明导电薄膜ITO和制作在该薄膜上环绕在紫外敏感薄膜周围的金属电极构成，环状金属电极与ITO薄膜之间为欧姆接触，环状金属电极由金或铂构成。紫外敏感薄膜可以是氮化镓、掺铝氮化镓、氧化锌、掺镁氧化锌、碳化硅和金刚石中的某一种材料。金属上电极由金或铂构成，可采用长条状或环状或网状结构。完整的石墨烯透明电极覆盖在紫外敏感薄膜和大部分金属上电极上方。本发明所涉及的紫外探测器具有紫外辐射透过率高、量子效率高的特点。
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公开(公告)号：CN102928793B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210470215.0
申请日：2012-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/0286 , G01R33/028
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子对和依次形成于其表面上的绝缘层及金属线圈。本发明利用差分电容激励和电磁感应来测量磁场大小，其中，构成谐振振子对的两个谐振振子结构工作在反相位模式，各该谐振振子结构上的金属感应线圈环绕方向相同，两个谐振振子结构上的金属感应线圈产生的感应电动势相互串联；由于驱动信号是差分信号，消除输出信号中的容性耦合信号，以获得单纯的磁场输出信号；同时，本发明利用耦合结构将两个谐振振子结构耦合起来使两个谐振振子结构连接为一体运动；进一步，本发明结构简单，受温度影响小，输出信号大，灵敏度高，检测的准确度高，适合高工作频率。
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公开(公告)号：CN104049112A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN104003352A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410264566.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于吸气剂薄膜的混合晶圆级真空封装方法及结构，该方法包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔；b）键合所述垫片及所述衬底片；c）将待封装芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并将所述吸气剂固定于朝向所述芯片封装腔的盖片表面；e）键合所述盖片及所述垫片并激活吸气剂。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将非致冷红外探测器芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护非致冷红外探测器芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；采用吸气剂薄膜维持腔体的真空度，可降低真空封装的体积；只对已通过测试的非致冷红外探测器芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928295A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310015048.5
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0405 , H01L21/02527
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到柔性衬底上的方法。该方法包括如下步骤：在附着石墨烯的原衬底上涂胶并烘干使胶固化成为柔性衬底；将固化的柔性衬底与硬质衬底进行键合；采用化学腐蚀液腐蚀原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/柔性衬底/硬质衬底结合体并吹干；将柔性衬底与石墨烯直接从硬质衬底上剥离，得到所需的附着在柔性衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到柔性衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN102721829B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210236528.X
申请日：2012-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81B7/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种电容式微加速度传感器及其单片制作方法，所述加速度传感器为三明治结构，其制作方法不需要键合工艺，直接由单片双器件层SOI硅片制作形成。该加速度传感器具有双面对称直梁-质量块结构，且所述可动质量块的八个角处的直弹性梁，无需采用凸角补偿的结构就可保证最终的质量块为矩形结构，使得预期的器件结构在完成各向异性腐蚀后，能完整保留，器件具有高度法向的对称性。所述制作方法简化了制作三明治结构电容式加速度传感器的工艺，避免了繁琐的键合工艺，降低了制作工艺的难度，提高了工艺效率和可靠性。同时，该方法极大的降低了制造成本，提高了加速度传感器器件性能及器件成品率。
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公开(公告)号：CN102928623B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210418322.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种避免寄生电容结构的微加速度传感器，包括上电极盖板、下电极盖板和质量块，所述上电极盖板和下电极盖板分别位于质量块的上端和下端，所述质量块的上表面具有上电容间隙，下表面具有下电容间隙；所述上电极盖板的下表面和下电极盖板的上表面均设有用于实现上电极焊盘、中间电极焊盘和下电极焊盘之间绝缘的隔离槽。本发明易于制作，工作性能稳定，用途广泛。
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公开(公告)号：CN103293338A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310264211.1
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种电容式加速度传感器的传感部件、制作方法及其应用，本发明采用单晶硅纳米线支撑的质量块作为传感部件核心部分，在（111）单晶硅衬底上刻蚀出微米量级的支撑梁，并利用（111）硅片内的晶向分布特点，采用单晶硅各向异性腐蚀和自限制氧化技术将支撑梁细化成具有高成品率和高质量的单晶硅纳米线，使得单晶硅纳米线在传感方向上具有比现有技术中数微米厚度的悬臂梁小得多的刚度，则本发明与传统结构相比，在同样的器件尺寸下能够达到更高的灵敏度，或者在同样的灵敏度下能够实现更小的器件尺寸，在提高该类传感器性能、集成度方面具有应用前景；同时，本发明工艺简单高效，可与体硅加工工艺相兼容，易于实现本发明的大规模制作。
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公开(公告)号：CN102376629B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010255550.X
申请日：2010-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种借助悬架光刻胶制作硅通孔互连的方法。其具体步骤为：首先在减薄或未减薄的硅片上刻蚀出通孔，再利用自组装方法在硅片上表面形成跨越通孔的悬架光刻胶膜并光刻形成悬架光刻胶对通孔一端的封口，溅射形成金属种子层后再去胶以形成通孔一端的悬架金属膜封口结构，之后进行铜电镀以填满通孔形成连通结构。该方法先刻蚀通孔后形成了平整的金属种子层表面结构，避免了表面平坦化后处理，工艺简单，成本低廉。
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