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公开(公告)号：CN117176302A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311125595.9
申请日：2023-09-01
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H04L1/06
Abstract: 本发明提供了一种基于时间门的调制频率编码的提取方法及装置。该方法的特征在于包括：第1步，接收被测射频信号；第2步，对被测射频信号进行信号调理，获得调理射频信号和时间门控制信号；第3步，对调理射频信号和时间门控信号高速采样；第4步，以时间门控制信号作为触发通道，当记录信号采样数据；第5步，对信号采样数据进行解调，获得调制信号；第6步，对调制信号按照规定时间的时隙进行时隙分割；第7步，将各个时隙内的调制信号通过参量设置得到各个时隙调制频率的组合形式；第8步，根据映射关系，将调制频率组合转换为一定格式的编码序列的字符串。本发明具有快速锁定发射信号、单一固定时隙解调和编码序列快速重构等优点。
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公开(公告)号：CN116659810A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310530699.1
申请日：2023-05-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01M11/00 , G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种脉宽调制器中子单粒子效应辐照测试系统，包括辐照测试板、直流稳压电源、电子负载、测控模块、显示模块，所述辐照测试系统置于脉冲反应堆中进行在线辐照测试；所述辐照测试板置于辐照室内；直流稳压电源、电子负载、测控模块、显示模块置于测试间；直流稳压电源通过供电线缆为辐照测试板提供直流供电；电子负载连接辐照测试板的输出端；测控模块读取辐照测试板上监测的信号，并通过显示模块进行显示。本发明能够满足脉宽调制器的脉冲反应堆中子在线辐照试验，以及中子单粒子效应测试和表征，获得脉宽调制器的单粒子效应现象及规律，实现对脉宽调制器抗中子单粒子能力的准确评估，指导器件的抗辐射加固设计与宇航可靠性应用。
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公开(公告)号：CN115567133B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211241849.9
申请日：2022-10-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H04B17/40
Abstract: 本发明针对天基测控通信系统USB链路信号，提供了一种USB天基测控通信体制多普勒频率参数校准方法，研究多普勒频率、多普勒频率变化率在线校准技术，为天基测控通信系统的稳定运行提供技术支撑。本发明实现对USB链路DSSS/BPSK调制信号的多普勒频率、多普勒频率变化率的校准。本发明实现卫星测控通信系统多普勒频率参数校准方法的硬件装置由信号分析模块，高速数据采集器，嵌入式控制器组成。
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公开(公告)号：CN115902312A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211368548.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明提供一种双端口微波元器件通用测试夹具，包括微带电路、电路载体、SMA连接器、X轴向活动滑台、Y轴向活动滑台、Z轴向活动滑台、被测件载台和底座；X轴向活动滑台、Y轴向活动滑台、Z轴向活动滑台均连接在所述底座上，通能够分别沿X轴、Y轴、Z轴滑动；所述电路载体安装在所述X轴向活动滑台、Y轴向活动滑台、Z轴向活动滑台上。本发明能够通过调节活动滑台实现测试微带电路在X、Y、Z轴向进行滑动，从而满足不同封装尺寸的双端口微波元器件测试，具有良好的通用性。测试时，通过压紧下压装置，可实现被测件与测试电路的紧密电连接，保证测试结果的精确性和稳定性，能满足频率在DC～12GHz内双端口微波元器件的精确测试。
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公开(公告)号：CN115900985A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211113585.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1，制备三种封装结构的LED器件，LED器件I芯片裸露，LED器件II芯片表面覆盖硅胶，LED器件III芯片表面覆盖荧光胶；S2，与三种器件对应分别建立三种光学和热学结构不同的模型；S3，积分球分别测试LED器件II和LED器件III的光辐射功率，分别获得LED器件III的芯片发热功率和荧光胶发热功率；S4：使用瞬态热阻法测试三种器件的芯片结温和芯片PN结‑环境整体热阻；S5，根据结构差异法，获得LED器件III的荧光胶最高温度。本发明获得LED器件III的荧光胶最高温度，解决了传统方法无法测试LED芯片表面荧光胶最高温度的不足，避免了荧光胶温度过高对LED发光效率和封装可靠性的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115824914A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211184592.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种基于微分函数定量估算二极管焊料层孔隙率的方法，首先制备不同孔隙率的二极管器件作为标定样品，采用瞬态热阻测试法获得标定样品的微分函数曲线和热阻值，确定热阻和孔隙率的关系；再将未知焊料孔隙率二极管作为待测样品，测试其微分函数曲线和热阻值；最后将标定样品和待测样品的热特性信息进行对比，确定待测二极管样品的孔隙率范围。通过该方法可准确反映待测样品焊料层的孔隙率特征，提高出厂器件的可靠性和产品良率。本发明解决了现有瞬态热阻测试方法无法定量确定焊料层孔隙率范围的难题，可定量分析多个未知焊料孔隙率的待测样品，并对多个待测样品的焊料孔隙率结果进行统计分析，有助于深入分析该批次产品的焊料工艺情况。
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公开(公告)号：CN115655100A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211230041.0
申请日：2022-10-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明提供了一种火箭筒段基准刻线测量引导装置及方法。该装置的特征在于，其包括筒段法兰夹紧器(1)、刻线放大瞄准器(2)、同轴靶球座(3)、和双向位置调节器(4)，所述筒段法兰夹紧器(1)用于将装置固定在火箭筒段法兰盘(7)上；所述刻线放大瞄准器(2)为刻有瞄准线(21)的放大镜片，装在一个L型构件的一端；所述同轴靶球座(3)用于放置靶球，设置于所述L型构件的另一端或中间位置，所述瞄准线(21)沿L型构件的延长线与所述同轴靶球座(3)的球心处于同一轴线上；所述双向位置调节器(4)设置于位于L型构件与所述筒段法兰夹紧器(1)之间，包含了调节机构。该装置结构简单、通用性强、测量准确度高、工作可靠。
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公开(公告)号：CN115598483A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211113580.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所(CN)
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种Pt传感器实时监测加电状态下功率二极管结温的方法，其特征在于，包括：S1：在PCB覆铜板上制备Pt薄膜电阻温度传感器；S2：确定该Pt薄膜电阻温度传感器电阻和温度的换算M系数；S3：制备芯片底部有Pt薄膜电阻温度传感器的功率二极管；S6：将功率二极管接入老化电路，实时监测Pt薄膜电阻温度传感器电阻，通过Pt薄膜电阻温度传感器监测加电状态下的二极管结温。本发明相比于只能测试器件表面温度的热电偶法，测温的可重复性和均一性更好；相比于红外法，不需要考虑表面封装材料发射率的影响，测试的芯片结温更准确；相比于热阻测试法，在二极管加电测试过程中无需进行热阻测试，就可解决传统测试无法实时监测二极管结温的不足。
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公开(公告)号：CN115424251A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210168065.1
申请日：2022-02-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的基于OCR识别技术的通用设备工控界面数据采集方法包括：工控软件界面图像定时抓取：定时抓取运行中工控软件界面图像；工控软件界面特征标定：以工控软件界面中不发生变化的静态特征区域为工控软件界面OCR识别的特征区域，该特征区域的左上角点为特征点；OCR识别区域框定：确定工控软件界面中需要进行OCR识别的矩形区域，以该矩形区域的左上角点和右下角点相对于特征点的像素偏移标识该矩形区域，该矩形区域即为OCR识别区域；图像预处理：对抓取的工控软件界面图像中框定的OCR识别区域进行多余特征预处理，使图像能满足识别要求；图像OCR识别：对经过预处理的图像进行OCR识别，获得工控软件界面数据。
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公开(公告)号：CN115219870A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210746556.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法，包括步骤：通过热电偶测试的LED荧光胶温度校准红外法测试的LED荧光胶温度，确定校准P系数；确定LED芯片的温度敏感参数K系数；采用热电偶P系数校准后的红外法重新测定荧光胶温度，采用瞬态热阻法测试芯片结温；单独改变恒温炉温度，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；单独改变加热电流，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；将LED接入老化电路，采用校准红外法测试荧光胶温度，结合荧光胶温度‑芯片结温曲线，计算LED芯片结温。本发明无需测试荧光胶发射率，解决了传统方法不能快速精确测定高温老化LED芯片结温的不足。
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