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公开(公告)号：CN110600068B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910743318.1
申请日：2019-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质，该方法包括确定被一幅值区间内多个不同幅值的脉冲作用的存储器的阻值区间，确定阻值区间内的待选阻值对应的第一脉冲，根据第一脉冲作用于存储器得到的第一阻值确定预选阶梯脉冲的幅值区间，根据第一脉冲的幅值调节预选阶梯脉冲的子脉冲的脉宽，得到目标阶梯脉冲。基于本申请实施例，优化后的阶梯脉冲作用于存储器，比单脉冲或等宽阶梯脉冲作用于存储器得到的阻值更低。
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公开(公告)号：CN110289037B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910561346.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种非易失存储器读出电路及读出方法，包括：纳秒级充电脉冲产生模块，产生后充电脉冲信号；充电电压产生模块，产生后充电电压；读位线充电模块，给读位线充电；第一参考读电压生成电路，给参考读位线充电，并产生参考读电流和第一参考读电压；灵敏放大器，将参考读电流与读出电流相比较，产生读出电压信号。本发明提高了读位线电压上升的速度，降低了读出电流的峰值，降低了动态功耗，降低了读出电流及参考读电流到达稳定值所需的时间；且在参考读电流中引入寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，并对读位线和读参考位线进行后充电操作，最大程度的消除了伪读取现象，减小了读出时间。
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公开(公告)号：CN109935270B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910175850.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的故障诊断方法，应用于以位为操作单位的相变存储器中，包括：对所述相变存储器进行第一操作以触发部分热串扰故障，其中所述第一操作包括一次地址递增的位写0；对所述相变存储器进行第二操作以检测触发的部分热串扰故障，其中所述第二操作包括一次地址递增的位读0；对所述相变存储器进行第三操作以触发剩余热串扰故障，其中所述第三操作包括一次地址递减的位写0；对所述相变存储器进行第四操作以检测触发的剩余热串扰故障，其中所述第四操作包括一次地址递减的位读0。通过本发明解决了现有技术中无法全面检测PD故障及现有技术还未有以字为操作单位的相变存储器特有故障的触发及检测的相关研究的问题。
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公开(公告)号：CN112199234A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011049315.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器的神经网络容错方法，包括以下步骤：在进行神经网络权值矩阵的存储时，以某个电阻状态为目标，读出忆阻器器件电阻以获得存储阵列中的忆阻器电阻的分布；在进行权重更新时，将神经网络权重矩阵映射至存储阵列，根据权重矩阵进行存储单元映射，通过自适应算法将大的权值映射到缺陷小的忆阻器器件上，完成权重更新，实现神经网络的学习与训练。本发明实现了在其上运行的神经网络算法的稳定性和准确率，采用算法实现简化了电路复杂度，减少了芯片面积和功耗，便于忆阻器神经网络的大规模集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112133824A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010907768.2
申请日：2020-09-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变材料、相变存储单元及其制备方法。该相变材料的化学式为TaaInbSbcTed。该单元包括下电极层，上电极层以及位于所述下电极层与所述上电极层之间的相变材料层。该单元的制备方法为：制备下电极层；制备相变材料层于下电极层上；制备上电极层于相变材料层上。该相变材料具有晶粒小、相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点。
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公开(公告)号：CN108648782B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN108110026B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201711385751.X
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述Ge‑Te‑Al‑As材料的化学通式为(GexTe100‑x)100‑z(Al100‑yAsy)z，其中10≤x≤30，50≤y≤90，0≤z≤30。本发明提供的基于Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料的阈值开关器件单元，在外部能量的作用下，能够实现高电阻态到低电阻态的瞬时转变；撤去外部能量时，能够立即由低电阻态向高电阻态转变。并且，本发明的阈值开关器件单元具有阈值电压低、开关比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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公开(公告)号：CN110098832B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910364378.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法，所述DCDC转换电路包括：双路输出模块，电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块，电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块，电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号：CN111584710A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010277520.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该OTS材料的化学通式为GaxS1-x-yRy。该选通器单元包括该OTS材料。该选通器单元在外部电激励的作用下，能够实现从关断的、高电阻态到导通的、低电阻态的快速转变；而且，在撤去外部电激励时，能够由导通的、低电阻态向关断的、高电阻态快速转变；并且该选通器单元具有驱动电流高、阈值电压较低、开启速度快、开关比大、热稳定性好等优点。
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