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公开(公告)号：CN1288696C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN01138429.8
申请日：2001-11-09
申请人： 日新意旺机械股份公司
发明人： 宫本直树
CPC分类号： H01J27/14
摘要： 在离子源中，背反射器(10)与等离子体产生器(2)和与灯丝(6)之间均为电绝缘。背反射器(10)与反向反射器之间为电连接。此外，直流偏置电源(32)是与灯丝电源(24)和与电弧电源(26)相独立的电源。直流偏置电源(32)用于在反向反射器8和背反射器(10)与等离子体产生器之间施加偏压(VB)，并且以二个反射器(8)和(10)作为负电位。在运行离子源时，控制来自所述直流偏置电源的直流偏压输出的幅度以便对从所述离子源拉出的离子束的数量进行控制。
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公开(公告)号：CN115769333A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180043817.5
申请日：2021-06-16
申请人： 艾克塞利斯科技公司
摘要： 用于形成一等离子体的离子源，具有阴极，该阴极具有一空腔及界定阴极阶梯的阴极表面。灯丝安置于该空腔内。一阴极屏蔽件具有至少部分地包围所述阴极表面的阴极屏蔽件表面。一阴极间隙形成于所述阴极表面与阴极屏蔽件表面之间，界定用于限制该等离子体穿过该间隙的弯曲路径。所述阴极表面可具有由第一阴极直径及第二阴极直径所界定的阶梯式圆柱形表面，该第一阴极直径及第二阴极直径彼此不同，以界定该阴极阶梯。该阶梯式圆柱形表面可为一外表面或一内表面。该第一阴极直径及第二阴极直径可为同心的或轴向偏心的。
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公开(公告)号：CN114641843A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080077057.5
申请日：2020-10-22
申请人： 应用材料股份有限公司
摘要： 本发明公开一种具有可插式靶支持器的离子源，可插式靶支持器用于容放固态掺杂材料。可插式靶支持器包括中空内部，固态掺杂材料设置到中空内部中。靶支持器在第一端处具有多孔表面，来自固态掺杂材料的蒸气可穿过多孔表面进入电弧室。多孔表面阻止液体或熔融的掺杂材料传递到电弧室中。靶支持器也被构造成使得当中空内部内的掺杂材料已被消耗时可为靶支持器重新填充掺杂材料。多孔表面可为穿孔坩埚的一部分、穿孔固持盖帽的一部分或多孔插入件。
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公开(公告)号：CN112687505A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011561805.5
申请日：2017-05-23
申请人： 瓦里安半导体设备公司
摘要： 本发明公开一种具有改善的寿命的间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源。在某些实施例中，所述离子源是间接加热式阴极离子源，所述间接加热式阴极离子源包括腔室，所述腔室具有多个导电壁，所述间接加热式阴极离子源具有阴极，所述阴极电连接到所述离子源的壁。在所述离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，所述伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，所述细丝的一个引线连接到离子源的壁。
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公开(公告)号：CN106206221A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610203655.8
申请日：2016-04-01
申请人： 住友重机械离子技术有限公司
发明人： 佐藤正辉
IPC分类号： H01J27/02 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/32669 , H01J37/32055 , H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J2237/3365 , H01J27/02 , H01J27/022 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/3171
摘要： 本发明提供一种提高装置寿命及等离子生成效率的等离子生成装置。等离子生成装置具备：电弧室(12)，内部具有生成等离子的等离子生成区域；磁场发生器(16)，向等离子生成区域施加磁场(B)；以及阴极(30)，在沿着施加到等离子生成区域的磁场(B)的施加方向的轴向上延伸，且在其前端设置有放出热电子的阴极罩。阴极罩具有朝向电弧室(12)的内部在轴向上突出，且随着朝向电弧室(12)的内部，与轴向正交的径向宽度变小的形状。
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公开(公告)号：CN103069537B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201180040721.X
申请日：2011-08-11
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 奎格·R·钱尼
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/20 , H01J37/08 , H01J27/08
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/024 , H01J2237/081 , H01J2237/0827
摘要： 一种装置，包括电弧室外壳(203)及馈入系统(210)。电弧室外壳定义电弧室(204)。馈入系统经组态以馈入溅镀标靶(212)至电弧室。一种方法，包括馈入溅镀标靶至电弧室以及离子化溅镀标靶的一部分，其中电弧室藉由电弧室外壳定义。
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公开(公告)号：CN104885185A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380063410.4
申请日：2013-10-11
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 杰弗里·查尔斯·伯拉尼克 , 威廉·T·维弗
IPC分类号： H01J27/04 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , H01J37/302
CPC分类号： H01J27/024 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/043 , H01J2237/30472 , H01J2237/3171
摘要： 离子源包括界定电弧室的电弧室外壳，电弧室外壳在固定位置上具有提取板，提取板界定多个提取孔。离子源还包括挡帘组件，挡帘组件安装于电弧室外侧的靠近提取板处。挡帘组件经配置以于一时间间隔期间阻挡所述多个提取孔中的一者的至少一部分。以自离子源提取的离子束处理工件，并结合离子源与所述待处理工件的相对移动，使得仅用一种离子源即能在工件上形成二维离子植入图案。
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公开(公告)号：CN104603908A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380033131.3
申请日：2013-05-03
申请人： 瓦里安半导体设备公司
摘要： 在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
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公开(公告)号：CN101449354A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018052.X
申请日：2007-05-17
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/02 , H01J37/08 , H01J27/08
CPC分类号： H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/304 , H01J37/32467 , H01J2237/002 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
摘要： 本发明公开了一种用于产生离子流的示例性离子源，所述离子源具有至少部分地界定电弧室的离子化区的铝合金电弧室主体。电弧室主体和热丝状体电弧室壳体一起使用，所述热丝状体电弧室壳体或者直接或者间接地将阴极加热到足够的温度，以使电子流动通过电弧室的离子化区。温度传感器监测电弧室内的温度，并提供与感测的温度相关的信号。当传感器进行测量时控制器监测感测的温度，并调节温度以将感测的温度保持在一范围内。
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