发明授权
- 专利标题： 溅镀标靶馈入系统
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申请号： CN201180040721.X申请日： 2011-08-11
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公开(公告)号： CN103069537B公开(公告)日： 2016-12-07
- 发明人: 奎格·R·钱尼
- 申请人： 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址： 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 专利权人： 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人： 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址： 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明; 张洋
- 优先权： 12/862,104 2010.08.24 US
- 国际申请： PCT/US2011/047384 2011.08.11
- 国际公布： WO2012/027123 EN 2012.03.01
- 进入国家日期： 2013-02-22
- 主分类号： H01J37/317
- IPC分类号： H01J37/317 ; H01J37/20 ; H01J37/08 ; H01J27/08
摘要：
一种装置，包括电弧室外壳(203)及馈入系统(210)。电弧室外壳定义电弧室(204)。馈入系统经组态以馈入溅镀标靶(212)至电弧室。一种方法，包括馈入溅镀标靶至电弧室以及离子化溅镀标靶的一部分，其中电弧室藉由电弧室外壳定义。
公开/授权文献
- CN103069537A 溅镀标靶馈入系统 公开/授权日：2013-04-24
