公开(公告)号：CN105870076B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201610058577.7

申请日：2016-01-28

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈纪翰

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/645 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/26 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包括第一电介质层、裸片垫、有源组件、至少一个第一金属条、至少一个第二金属条及通孔。所述第一电介质层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述裸片垫定位在所述第一电介质层内。所述有源组件定位在所述第一电介质层内且安置在所述裸片垫上。所述第一金属条安置在所述第一电介质层的所述第一表面上，且电连接到所述有源组件。所述第二金属条安置在所述第一电介质层的所述第二表面上。所述通孔穿透所述第一电介质层且将所述至少一个第一金属条连接到所述至少一个第二金属条。

公开(公告)号：CN105870076A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610058577.7

申请日：2016-01-28

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈纪翰

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/645 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/26 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/481

摘要： 本发明涉及半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包括第一电介质层、裸片垫、有源组件、至少一个第一金属条、至少一个第二金属条及通孔。所述第一电介质层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述裸片垫定位在所述第一电介质层内。所述有源组件定位在所述第一电介质层内且安置在所述裸片垫上。所述第一金属条安置在所述第一电介质层的所述第一表面上，且电连接到所述有源组件。所述第二金属条安置在所述第一电介质层的所述第二表面上。所述通孔穿透所述第一电介质层且将所述至少一个第一金属条连接到所述至少一个第二金属条。

公开(公告)号：CN105374776A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510161903.2

申请日：2015-04-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 周建模 ,  文彰烈 ,  李成熙 ,  黄俊式

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/45099

摘要： 本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片，半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构，第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分，接合结构包括银-锡(Ag-Sn)化合物和镍-锡(Ni-Sn)化合物。

公开(公告)号：CN101140861B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710182175.9

申请日：2007-08-22

申请人： 索尼株式会社

发明人： 小野秀树 ,  谷口理

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/91 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在生长在半导体衬底的器件层中形成预定器件，在器件层和半导体衬底之间具有牺牲层；在支撑衬底接合在器件层的侧面的同时，通过蚀刻移除牺牲层以分离半导体衬底和器件层，其中在移除牺牲层的步骤中，在牺牲层移除之前形成从器件层延伸到牺牲层的凹槽，以及使用蚀刻溶液经由凹槽渗透到牺牲层。

公开(公告)号：CN205752172U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620455469.9

申请日：2016-05-17

申请人： 歌尔股份有限公司

发明人： 郑国光 ,  方华斌 ,  孙艳美

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014

摘要： 本实用新型涉及一种光学传感器封装结构，在光学传感器芯片与透光板的粘结面之间设置有环绕所述光学区域的凹槽；还包括注塑成型的不透光塑封体，所述不透光塑封体、透光板将所述光学传感器芯片封装在基板上。本实用新型的封装结构，在进行光学传感器芯片与透光板的粘结时，该凹槽构成了类似“护城河”的结构，从而可以防止胶材溢入至光学传感器芯片的光学区域上，这就使得可以增大涂胶量，从而可以实现光学传感器芯片与透光板之间的良好密封，解决了在注塑不透光塑封体时，不透光材料会钻入透光板与光学区域之间的问题，保证了光学传感器芯片的光学性能。

公开(公告)号：CN205257992U

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201520754632.7

申请日：2015-09-25

申请人： 意法半导体(马耳他)有限公司

发明人： C·卡奇雅 ,  D·O·韦拉 ,  D·阿吉厄斯 ,  M·斯皮特里

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0154 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/92164 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85

摘要： 本公开涉及一种MEMS器件，具有晶片级封装，包括：第一裸片和第二裸片的堆叠，限定了在封装内部的至少第一内表面并且承载了至少电接触焊盘，以及在封装外部并且限定了封装的第一外侧面的至少第一外表面；以及模塑化合物，至少部分地涂覆了第一裸片和第二裸片的堆叠并且具有限定了与第一外侧面相对的、封装的第二外侧面的正表面。MEMS器件进一步包括：至少垂直连接结构，在第一内表面处从接触焊盘朝向模塑化合物的正表面延伸；以及至少外连接元件，电耦合至垂直连接结构并在封装的第二外面处暴露至封装的外侧。