一种惯性测量器件及惯性测量系统

    公开(公告)号:CN105044387B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201510549169.7

    申请日:2015-08-31

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01P15/00

    摘要: 本发明公开了一种惯性测量器件及惯性测量系统,前者的质量块(1)通过沿X轴延伸的两个弹性扭梁(4)连接在锚定部(3)上,且质量块(1)位于X轴两侧的部分的质量不相等;前者的衬底上设置有固定电极组,固定电极组具有四个固定电极(2),以与质量块(1)分别形成第一至第四检测电容,其中,第一与第二检测电容、及第三与第四检测电容均构成X轴惯性信号检测的差分电容,且第一与第四检测电容、及第二与第三检测电容均构成Y轴惯性信号检测的差分电容。本发明器件能够通过共用固定电极组的方式实现X轴、Y轴惯性信号的检测,因此其在同等芯片面积的情况下能够提高灵敏度,而在同等灵敏度情况下则可以节省芯片面积。

    准差分电容式MEMS压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN104848982B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201510290391.X

    申请日:2015-05-29

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01L9/12

    摘要: 本发明公开了一种准差分电容式MEMS压力传感器及其制造方法,前者包括第一下电极(3a)和第二下电极(3b),及对应支撑在第一下电极(3a)上方和第二下电极(3b)上方的第一上电极(4a)和第二上电极(4b);第一上电极(4a)为压力敏感膜,且第一上电极(4a)与第一下电极(3a)之间的腔体为密闭腔体(9a),以使第一上电极(4a)与第一下电极(3a)构成气压敏感型电容器;第二上电极(4b)与第二下电极(3b)构成电容量不随外界气压变化的基准电容器。本发明压力传感器利用基准电容器可以至少部分地滤除气压敏感型电容器的输出信号中的共模干扰信号,进而提高气压敏感型电容器的输出信号的稳定性及分辨率。

    一种压力传感元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN105181186B

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201510290077.1

    申请日:2015-05-29

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01L1/14 G01L9/12

    摘要: 本发明公开了一种压力传感元件,包括并列设置于基底上的第一电容和第二电容;第一电容包括位于上方的第一压力敏感膜以及位于下方的第一固定极板,第一固定极板开设有第一通孔;第二电容包括位于下方的第二压力敏感膜以及位于上方的第二固定极板,第二固定极板开设有第二通孔;基底设有第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽通过第一通孔与第一电容间隙连通并形成第一密封腔,第二压力敏感膜密封第二凹槽形成第二密封腔;第一电容和第二电容共同构成差分电容。本发明的压力传感元件基于差分电容进行检测,对外界共模干扰信号不敏感,可以实现高精度和高稳定性地输出。本发明同时还提供了一种制造压力传感元件的方法。

    一种MEMS压力传感元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104897333B

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201510367571.3

    申请日:2015-06-29

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01L9/02

    摘要: 本发明公开了一种MEMS压力传感元件,包括:设有凹槽的基底;设置于基底上方的压力敏感膜,压力敏感膜密封凹槽的开口以形成密封腔体;悬置于密封腔体内的平行于压力敏感膜的压力敏感梁,其上设置有压敏电阻;压力敏感梁的中心与压力敏感膜的中心固定连接,外周与基底凹槽的底壁固定连接,以使压力敏感膜在外界压力作用下带动压力敏感梁弯曲变形。本发明还公开了一种MEMS压力传感元件的制造方法。本发明的MEMS压力传感元件,压力作用在压力敏感膜上时,压力敏感膜带动压力敏感梁运动引起压力敏感梁的弯曲,继而引起压力敏感梁上的压敏电阻的阻值的变化,这样既完成压力敏感的功能,又屏蔽了外界对压力传感元件的电学部分的电磁干扰。

    一种光学传感器封装结构及其集成板

    公开(公告)号:CN105870070B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201610327746.2

    申请日:2016-05-17

    IPC分类号: H01L23/053 H01L27/02

    摘要: 本发明公开了一种光学传感器封装结构及其集成板,包括衬底以及设置在衬底上并由间隔部分隔开的第一容腔、第二容腔,在所述第一容腔、第二容腔中分别设置有光学传感器芯片、LED芯片;还包括覆盖在第一容腔上端的第一透光板,以及覆盖在第二容腔上端的第二透光板;所述间隔部上端位于第一容腔的一侧设有用于承载第一透光板的第一台阶,所述间隔部上端位于第二容腔的一侧设有用于承载第二透光板的第二台阶。本发明的封装结构,有效防止了LED芯片发出的光直接被光学传感器芯片感应到,有效地解决了芯片之间光串扰的问题,提高了光学传感器的检测精度。

    一种MEMS麦克风的封装结构

    公开(公告)号:CN104822117B

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201510227099.3

    申请日:2015-05-06

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: H04R19/04 H04R31/00

    摘要: 本发明公开了一种MEMS麦克风的封装结构,包括封装基板以及封装外壳,所述封装外壳设置在封装基板上并与封装基板形成密闭容腔,还包括供声音流入密闭容腔的声孔;所述封装外壳、封装基板、声孔共同构成了亥姆赫兹共振腔,所述亥姆赫兹共振腔内设有MEMS芯片、ASIC芯片;所述亥姆赫兹共振腔的至少部分内壁上设有吸音层。本发明的封装结构,在亥姆赫兹共振腔的内壁上设置有吸音层,该吸音层对高频声波具有一定的吸收能力,对低频声波的吸收较少,可以等效为一“低通滤波器”;通过对高频声波的吸收,可以对声波的高频幅值进行抑制,降低了亥姆赫兹共振腔的高频响应,也就是说,提高了声波的高频截止频率,提高了MEMS麦克风的工作带宽。

    一种MEMS压力传感元件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104897334B

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201510368749.6

    申请日:2015-06-29

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01L9/12 B81B3/00

    摘要: 本发明公开了一种MEMS压力传感元件,包括:设有凹槽的基底;设置于基底上方的压力敏感膜,压力敏感膜密封凹槽的开口以形成密封腔体;位于密封腔体内的构成电容结构的可动极板和固定极板;其中,固定极板固定于基底凹槽的底壁,可动极板悬置于固定极板的上方并且与固定极板相对;压力敏感膜与可动极板连接,以在外界压力作用下带动可动极板运动。本发明的MEMS压力传感元件将压力敏感和电学检测分开,将压力敏感膜暴露在空气中,将电容结构设置在由压力敏感膜和基底围成的密封腔中,电容结构的可动极板由压力敏感膜带动,这样既完成压力敏感的功能,又屏蔽了外界对电容结构的电磁干扰。

    一种光学芯片的集成结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN106206915A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610782876.5

    申请日:2016-08-31

    发明人: 郑国光

    摘要: 本发明公开了一种光学芯片的集成结构及其制造方法,侧壁部上分别设置有连通所述第一内腔的第一入口、第一出口,所述第一入口、第一出口与第一内腔构成了第一注塑通道;通过第一注塑通道在所述第一内腔中注塑形成有覆盖所述光学传感器芯片的第一透光注塑体;所述侧壁部上分别设置有连通所述第二内腔的第二入口、第二出口,所述第二入口、第二出口与第二内腔构成了第二注塑通道;通过第二注塑通道在所述第二内腔中注塑形成有覆盖所述LED芯片的第二透光注塑体。本发明的集成结构,不需要复杂的模具,工艺流程简单。

    一种差分电容式MEMS压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN105067178B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201510290080.3

    申请日:2015-05-29

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01L9/12

    摘要: 本发明公开了一种差分电容式MEMS压力传感器及其制造方法,敏感结构层包括公共敏感部以及位于公共敏感部边缘的公共支撑部,且公共支撑部的厚度大于公共敏感部的厚度;包括相对于敏感结构层上下对称的用于与公共敏感部形成差分电容的上固定电极结构层、下固定电极结构层。本发明的MEMS压力传感器,通过差分电容结构,增强了芯片对共模信号的抑制,提高了输出信号的信噪比;同时,本发明公共支撑部的厚度大于公共敏感部的厚度,这就使得外围的公共支撑部可以屏蔽温度和应力所引起的应变,从而大大降低了由于温度和应力变化所传递到公共敏感部上的应变,提高了芯片的温度稳定性和应力稳定性。

    一种加速度计的Z轴结构及其生产方法

    公开(公告)号:CN104569490B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201510050310.9

    申请日:2015-01-30

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01P15/125

    摘要: 本发明公开了一种加速度计的Z轴结构及其生产方法,包括衬底、固定电极、质量块,在所述衬底的表面上设置有第一锚点,所述固定电极通过其端部连接在第一锚点上,所述固定电极通过第一锚点悬置在衬底上;在所述衬底的表面上还设置有中间锚点,所述质量块通过中间锚点悬置在固定电极的上方。本发明的Z轴结构,固定电极通过第一锚点与衬底连接,使得固定电极与衬底之间具有一定的间隙,这就将衬底到固定电极的形变传输通道切断,减小了固定电极与衬底之间的接触面积,可以有效避免由于外界应力和温度变化引起的衬底的形变传到固定电极上,大大降低了Z轴结构的零点漂移。