公开(公告)号：CN105682769A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201380080616.8

申请日：2013-10-30

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 罗格·A·麦凯 ,  帕特里克·W·萨迪克

IPC: B01D39/14 ,  B01D67/00 ,  B01D69/02

CPC classification number: B01D29/0093 ,  B01D35/02 ,  B01D67/0032 ,  B01D67/0062 ,  B01D69/02 ,  B01D2325/021 ,  B81B7/0061 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0135 ,  B81C2201/014 ,  C23C14/5873 ,  C23C18/1603 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02

Abstract: 一种方法包括：在衬底上形成蚀刻岛，并将具有蚀刻岛的衬底暴露至与蚀刻岛反应的溶液，以在衬底中形成互连孔隙的过滤通道。过滤通道具有进入衬底的入口和离开衬底的出口。

公开(公告)号：CN105366635A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510728575.X

申请日：2015-10-30

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 徐爱斌 ,  王俊杰

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C3/001 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00539

Abstract: 一种运动传感器的形成方法，包括：提供MEMS晶圆，MEMS晶圆具有第一表面和与第一表面对置的第二表面，第一表面键合有封盖晶圆，第二表面具有第一键合层；提供CMOS晶圆，CMOS晶圆具有器件区和引脚区，CMOS晶圆上具有多个分立的电极层；在CMOS晶圆上形成钝化层，所述钝化层暴露器件区中部分电极层的表面用于电学连接CMOS晶圆和MEMS晶圆，且暴露引脚区的电极层表面；在CMOS晶圆暴露出的电极层、器件区的钝化层上形成第二键合层；将第一键合层和第二键合层键合后，采用深硅刻蚀工艺形成贯穿封盖晶圆和MEMS晶圆厚度的通孔，所述通孔暴露引脚区的电极层表面。所述方法提高了运动传感器的良率且简化了工艺步骤。

公开(公告)号：CN103762160A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410042467.2

申请日：2014-01-28

Applicant: 北京华力创通科技股份有限公司

Inventor： 郭子超 ,  虢晓双 ,  张旭 ,  肖定邦 ,  张欢 ,  侯占强 ,  吴光跃 ,  吴学忠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0133 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明涉及硅片刻蚀领域，具体而言，涉及深硅刻蚀方法及其装置。该深硅刻蚀方法，包括如下步骤：将腐蚀溶液置于水浴中加热至预定温度，并通过磁力搅拌器对所述腐蚀溶液进行搅拌，使所述腐蚀溶液内部温度均匀；将带有掩膜的硅片竖直置于所述腐蚀溶液中腐蚀；将腐蚀好的硅片用去离子水清洗并经氮气吹干，得到成品硅片。本发明提供的深硅刻蚀方法及其装置，与现有技术相比，使刻蚀出的硅片的结构、图形、尺寸一致。

公开(公告)号：CN103492947A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018494.5

申请日：2012-03-28

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： A·梅热尔 ,  W·斯托库姆 ,  I·科勒

IPC: G03F7/00 ,  H01L51/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: C09K13/02 ,  B81C1/00539 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/2018 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023

Abstract: 本发明涉及一种选择性蚀刻以及高分辨率地图案化柔性聚合物基质的方法，所述聚合物基质可包含Ag纳米管。

公开(公告)号：CN108439327A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810139738.4

申请日：2018-02-02

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 马铁英 ,  吴宝健 ,  金晶

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00214 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00539

Abstract: 本发明公开一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征是：所述的制备方法是先将氧化好的硅片进行第一次光刻用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片一号，然后将光刻硅片一号放入恒温腐蚀液中进行第一次腐蚀得到腐蚀硅片一号，再把腐蚀硅片一号进行第二次光刻用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片二号，再将光刻硅片二号放入恒温腐蚀液中进行第二次腐蚀得到腐蚀硅片二号，再将腐蚀硅片二号进行第三次光刻用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片三号，然后将光刻硅片三号放入恒温腐蚀液中进行第三次腐蚀得到腐蚀硅片三号，最后将腐蚀硅片三号用缓冲氢氟酸全部去掉二氧化硅放入恒温腐蚀液中进行第四次腐蚀得到最终的硅基MEMS微半球阵列，本制备方法新颖且高效。

公开(公告)号：CN107235470A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710387527.8

申请日：2017-05-26

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩建强 ,  尹伊君 ,  韩东

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明公开了一种湿法腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料的保护技术，腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料采用氮化硅薄膜保护。氮化硅薄膜采用平板型等离子体化学气相沉积(PECVD)设备淀积。淀积温度350～420℃，13.56MHz射频电源的功率在10‑30W之间。采用氨气和硅烷作为反应气体，氨气流量在3‑10sccm之间，硅烷和氨气的流量比在1.3～2.6之间。利用上述工艺参数淀积的氮化硅薄具有针孔密度和缺陷少的优点，可以光刻并刻蚀后在双面或正面湿法腐蚀过程中保护芯片正面的特定区域的金属及多晶硅材料。

公开(公告)号：CN107161945A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710372397.0

申请日：2017-05-24

Applicant: 成都泰美克晶体技术有限公司

Inventor： 叶竹之 ,  陆旺 ,  李辉 ,  蒲波 ,  雷晗

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00436 ,  B81C1/00539 ,  B81C1/00555 ,  B81C1/00865 ,  B81C1/00888

Abstract: 本发明公开了一种AT切型石英晶片MEMS加工方法，包括以下步骤：石英晶片研磨和抛光处理；在抛光后的石英晶片表层蒸发镀或者磁控溅射镀Au薄膜；双面涂覆光刻胶，双面对准使用光罩掩膜版曝光制作图形；对曝光后的石英晶片显影，后烘处理固化图形；通过Au蚀刻液对未被光刻图形保护区域蚀刻，去除多余Au薄膜；使用激光对光刻刻蚀去除Au薄膜区域中心位置进行切割作业；切割后的石英晶片进入由HF和混合组成的腐蚀液中腐蚀，腐蚀后图形由Au光刻图形决定；去除光刻胶层、Au薄膜层。本发明采用腐蚀工艺加工外形，因此产品外形由光刻图形控制，产品精度得到保障，尺寸公差在±3um以内。

公开(公告)号：CN105431506A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480043488.4

申请日：2014-07-31

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 陈丽敏 ,  斯蒂芬·里皮 ,  达妮埃拉·怀特 ,  埃马纽尔·I·库珀

IPC: C09K15/02

CPC classification number: B81C1/00539 ,  C09K13/08 ,  C09K13/10 ,  G03F7/405 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钨和绝缘材料而言选择性去除所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物。所述去除组合物具有低pH，并含有至少一种氧化剂和至少一种蚀刻剂以及用于使金属腐蚀最小化的腐蚀抑制剂和用于保护电介质材料的钝化剂。

公开(公告)号：CN105304485A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510644253.7

申请日：2011-10-06

Applicant: 安格斯公司

Inventor： 陈天牛 ,  尼科勒·E·托马斯 ,  斯蒂芬·里皮 ,  杰弗里·A·巴内斯 ,  埃马纽尔·I·库珀 ,  张鹏

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28088 ,  B81C1/00539 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明涉及选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法。具体地，本发明涉及用于自其上具有第一金属栅极材料(例如，氮化钛)及第二金属栅极材料(例如，氮化钽)的微电子装置，将第一金属栅极材料相对于第二金属栅极材料选择性地移除的移除组合物及方法。该移除组合物可包含氟化物或者实质上不含氟化物。该基板优选包括高k/金属栅极集成配置。

公开(公告)号：CN103154321B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180048783.5

申请日：2011-10-06

Applicant: 安格斯公司

Inventor： 陈天牛 ,  尼科勒·E·托马斯 ,  斯蒂芬·里皮 ,  杰弗里·A·巴内斯 ,  埃马纽尔·I·库珀 ,  张鹏

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/28088 ,  B81C1/00539 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明涉及用于自其上具有第一金属栅极材料(例如，氮化钛)及第二金属栅极材料(例如，氮化钽)的微电子装置，将第一金属栅极材料相对于第二金属栅极材料选择性地移除的移除组合物及方法。该移除组合物可包含氟化物或者实质上不含氟化物。该基板优选包括高k/金属栅极集成配置。