公开(公告)号：CN105304485A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510644253.7

申请日：2011-10-06

Applicant: 安格斯公司

Inventor： 陈天牛 ,  尼科勒·E·托马斯 ,  斯蒂芬·里皮 ,  杰弗里·A·巴内斯 ,  埃马纽尔·I·库珀 ,  张鹏

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28088 ,  B81C1/00539 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明涉及选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法。具体地，本发明涉及用于自其上具有第一金属栅极材料(例如，氮化钛)及第二金属栅极材料(例如，氮化钽)的微电子装置，将第一金属栅极材料相对于第二金属栅极材料选择性地移除的移除组合物及方法。该移除组合物可包含氟化物或者实质上不含氟化物。该基板优选包括高k/金属栅极集成配置。

公开(公告)号：CN103154321B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180048783.5

申请日：2011-10-06

Applicant: 安格斯公司

Inventor： 陈天牛 ,  尼科勒·E·托马斯 ,  斯蒂芬·里皮 ,  杰弗里·A·巴内斯 ,  埃马纽尔·I·库珀 ,  张鹏

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/28088 ,  B81C1/00539 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明涉及用于自其上具有第一金属栅极材料(例如，氮化钛)及第二金属栅极材料(例如，氮化钽)的微电子装置，将第一金属栅极材料相对于第二金属栅极材料选择性地移除的移除组合物及方法。该移除组合物可包含氟化物或者实质上不含氟化物。该基板优选包括高k/金属栅极集成配置。