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公开(公告)号：CN106435478A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610541355.0
申请日：2016-07-01
申请人： 中国计量大学
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/185 , C23C14/5806
摘要： 本发明公开了一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法。所使用靶材的组成及重量百分比为：Ni 45wt％，Cr 50wt％，Si 5wt％。溅射前对腔室抽真空至5×10-4Pa以下，通入氩气，调节工作气压在0.2～0.6Pa范围内，采用射频磁控溅射法淀积镍铬硅薄膜，射频功率控制在140～160W范围内，溅射的镍铬硅薄膜厚度控制在60-80nm范围内。溅射完成后，在真空、惰性气体或氮气环境中对薄膜进行退火处理，退火温度控制在440～460℃范围内，退火时间控制在25～35分钟范围内。利用本发明所涉及的低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法制备的镍铬硅薄膜在0～125℃温度范围内的电阻温度系数小于±2ppm/℃。
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公开(公告)号：CN106526229A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610971269.3
申请日：2016-11-03
申请人： 中国计量大学
IPC分类号： G01P15/08
CPC分类号： G01P15/0894
摘要： 本发明公开了一种低横向灵敏度隧道电流式加速度计的结构及制作方法，属于微电子机械系统领域。所述的低横向灵敏度隧道电流式加速度计由主芯片(1)、上盖板(2)和下底板(3)组成。其中主芯片(1)由质量块(4)、支撑梁(5)、引线桥组成。支撑梁(5)的一端固支在质量块(4)侧面，另一端固支在框架(9)内侧。支撑梁(5)的中轴线与质量块(4)的重心在同一平面。隧道针尖(10)及其隧道针尖电极(11)、控制电极上电极(12)制作在上盖板(2)下表面。下底板(3)上表面正对质量块(4)区域的硅被除去，形成凹坑(13)，为质量块(4)受到Z轴加速度在垂直芯片表面的运动提供活动空间。本发明方法制作的隧道电流式加速度计具有高分辨率和低横向灵敏度的优点。(6)、隧道电极(7)、控制电极下电极(8)、框架(9)
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公开(公告)号：CN106449960B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610541376.2
申请日：2016-07-01
申请人： 中国计量大学
摘要： 本发明公开了一种基于静电激励/电容检测微桥谐振器的薄膜热电变换器的结构与制作方法。薄膜热电变换器由制作在同一硅片(1)上的加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)组成。加热电阻(2)通电后产生并辐射的热量引起双端固支梁(3)温度升高，进而改变双端固支梁(3)的轴向应力，最终使双端固支梁(3)的谐振频率降低。通过测量双端固支梁(3)的谐振频率的变化就可以测量出加载在加热电阻(2)上的输入电压或电流的大小。本发明所涉及的薄膜热电变换器具有以下优点：加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)制作在同一硅片(1)上，简化了器件封装工艺。
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公开(公告)号：CN107235470A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710387527.8
申请日：2017-05-26
申请人： 中国计量大学
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00539 , B81C1/00801 , B81C2201/053
摘要： 本发明公开了一种湿法腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料的保护技术，腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料采用氮化硅薄膜保护。氮化硅薄膜采用平板型等离子体化学气相沉积(PECVD)设备淀积。淀积温度350～420℃，13.56MHz射频电源的功率在10‑30W之间。采用氨气和硅烷作为反应气体，氨气流量在3‑10sccm之间，硅烷和氨气的流量比在1.3～2.6之间。利用上述工艺参数淀积的氮化硅薄具有针孔密度和缺陷少的优点，可以光刻并刻蚀后在双面或正面湿法腐蚀过程中保护芯片正面的特定区域的金属及多晶硅材料。
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公开(公告)号：CN106449960A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610541376.2
申请日：2016-07-01
申请人： 中国计量大学
摘要： 本发明公开了一种基于静电激励/电容检测微桥谐振器的薄膜热电变换器的结构与制作方法。薄膜热电变换器由制作在同一硅片(1)上的加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)组成。加热电阻(2)通电后产生并辐射的热量引起双端固支梁(3)温度升高，进而改变双端固支梁(3)的轴向应力，最终使双端固支梁谐振频率的变化就可以测量出加载在加热电阻(2)上的输入电压或电流的大小。本发明所涉及的薄膜热电变换器具有以下优点：加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)制作在同一硅片(1)上，简化了器件封装工艺。(3)的谐振频率降低。通过测量双端固支梁(3)的
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