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公开(公告)号：CN101111911A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003608.3
申请日：2006-10-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 内藤康幸
CPC classification number: H01H1/0036 , B81B3/0005 , B81B2201/018
Abstract: 本发明提供了一种具有长寿命和高可靠性的疏水表面结构的微机电元件以及使用该微机电元件的机电开关。在该微机电元件中，电极的最外表面具有第一区域和第二区域的复合表面结构，该第一区域是由构成该电极的第一材料形成，该第二区域由至少具有疏水性的第二材料形成。采用由该电极材料和单分子层膜的复合表面结构作为该表面结构，可以避免对单分子层的物理压迫。另外，当其中单分子层不形成于射频信号传播路径上的结构被采用时，可以避免插入损耗的增大以及电场损伤。
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公开(公告)号：CN1675126A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03818563.6
申请日：2003-05-13
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 朱尔根·A.·弗斯特纳 , 斯蒂文·M.·史密斯 , 雷蒙德·M.·鲁普
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B2201/018 , B81B2201/0292 , B81C1/00246 , B81C2201/0164 , B81C2203/0735 , H01G5/18
Abstract: 提供了一种用来制作MEMS结构(69)的方法。根据此方法，提供了其上淀积有互连金属(53)的CMOS衬底(51)。通过选自硅和硅锗合金的材料的等离子体辅助化学气相淀积(PACVD)，在衬底上产生了MEMS结构。伴随PACVD使用的低的淀积温度使得这些材料能够在集成CMOS工艺的后端被用于制造MEMS。
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公开(公告)号：CN1613128A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826914.4
申请日：2002-11-08
Inventor： 肖恩·J·坎宁安 , 达纳·R·德吕斯 , 苏巴哈姆·塞特 , 斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克
IPC: H01H57/00
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108)，并且包括第一导电层(116)，将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外，微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120)，并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。
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公开(公告)号：CN108710203A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810471362.7
申请日：2015-01-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0062 , B81B3/0043 , B81B7/008 , B81B2201/018 , B81B2201/033 , B81B2201/042 , B81B2201/045 , B81B2203/058 , G02B26/0841 , G03B21/142 , G03B21/2033 , G03B21/28
Abstract: 本申请涉及静电驱动MEMS器件。MEMS器件具有经由接合臂对由支撑区域支撑的支撑物体。一种耦合到接合臂的静电驱动系统具有耦合到彼此的移动电极和固定电极。静电驱动系统由布置在相应的接合臂的相对侧上并且通过连接元件连接到接合臂的两对致动组件形成。每个致动组件横向延伸到悬挂物体并且具有支撑相应的多个移动电极的附属臂。每个附属臂平行于接合臂。连接元件可以是刚性的或者由联动装置形成。
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公开(公告)号：CN104820285B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510049858.1
申请日：2015-01-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0062 , B81B3/0043 , B81B7/008 , B81B2201/018 , B81B2201/033 , B81B2201/042 , B81B2201/045 , B81B2203/058 , G02B26/0841 , G03B21/142 , G03B21/2033 , G03B21/28
Abstract: 本发明涉及静电驱动的MEMS器件。MEMS器件具有经由接合臂对由支撑区域支撑的悬置块。耦合到接合臂的静电驱动系统具有彼此耦合的移动电极和固定电极。静电驱动系统由布置在相应的接合臂的相对侧上并且通过连接元件连接到接合臂的两对致动组件形成。每个致动组件横向延伸到悬置块并且具有承载相应的多个移动电极的附属臂。每个附属臂平行于接合臂。连接元件可以是刚性的或者由联动装置形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103828050B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280042848.X
申请日：2012-09-04
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺 , 理查德·L·奈普 , 罗伯特·加迪 , 拉希德·马哈米德
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/0097 , B81B7/04 , B81B2201/018 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0172 , B81B2203/0307
Abstract: 本发明一般涉及一种MEMS装置，该装置具有多个悬臂，所述悬臂在锚固区耦连和/或通过在所述悬臂中心区域耦连的管脚耦连。所述管脚保证了每个悬臂能够在相同的电压下从RF电极上移动/释放。所述锚固区的耦连在悬臂的所有部分中匹配机械刚度，使得所有的悬臂同时移动。
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公开(公告)号：CN102834347B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201080066397.4
申请日：2010-04-23
Applicant: 埃普科斯股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/018 , B81B2201/0257
Abstract: 公开了一种MEMS器件，其包括微机加工的块本体（BB）以及固定到块本体的膜（MM）。优选地从平坦的金属片用激光切割膜并且将膜接合到块本体。
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公开(公告)号：CN104820285A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510049858.1
申请日：2015-01-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0062 , B81B3/0043 , B81B7/008 , B81B2201/018 , B81B2201/033 , B81B2201/042 , B81B2201/045 , B81B2203/058 , G02B26/0841 , G03B21/142 , G03B21/2033 , G03B21/28
Abstract: 本发明涉及静电驱动的MEMS器件。MEMS器件具有经由接合臂对由支撑区域支撑的悬置块。耦合到接合臂的静电驱动系统具有彼此耦合的移动电极和固定电极。静电驱动系统由布置在相应的接合臂的相对侧上并且通过连接元件连接到接合臂的两对致动组件形成。每个致动组件横向延伸到悬置块并且具有承载相应的多个移动电极的附属臂。每个附属臂平行于接合臂。连接元件可以是刚性的或者由联动装置形成。
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公开(公告)号：CN102712461A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080051006.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2207/053 , B81C2201/0167
Abstract: 提供了一种非易失性纳米机电系统器件，包括：悬臂结构，该悬臂结构包括具有初始形状的横梁，该横梁在其一端处由支撑底座支撑；以及横梁偏转器，该横梁偏转器包括相变材料(PCM)，该PCM在与横梁的材料无滑动的状况下布置在横梁的一部分上，该PCM采用非晶相或结晶相之一，并且当采用该结晶相时，使横梁从初始形状偏转。
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公开(公告)号：CN100521871C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510097680.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H05K3/00
CPC classification number: C25D5/34 , B81B2201/018 , B81B2207/07 , B81C1/00698 , C25D5/022 , C25D5/10 , H05K3/205 , H05K2203/0315 , H05K2203/1157
Abstract: 本发明公开了一种制造电气部件的方法，该方法包括如下步骤：在基板的部分表面上形成光致抗蚀剂；形成所述光致抗蚀剂后在基板表面上形成金属层；去除所述金属层的一部分；去除由于去除部分所述金属层而形成在所述金属层表面上的金属氧化膜；以及去除所述光致抗蚀剂。使用该方法可以降低电气部件表面上的接触电阻。
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