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公开(公告)号：CN1881539A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610080578.8
申请日：2006-05-17
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体及采用该水系分散体的化学机械研磨方法，以及用于调制化学机械研磨用水系分散体的试剂盒。所述化学机械研磨用水系分散体含有(A)成分：无机粒子、(B)成分：选自有机粒子及有机无机复合粒子中的至少1种粒子、(C)成分：选自喹啉羧酸、喹啉酸、2元有机酸(但喹啉酸除外)及羟基酸中的至少1种酸、(D)成分：选自苯并三唑及其衍生物中的至少1种、(E)成分：氧化剂以及(F)成分：水，其中，上述(A)成分的配合量为0.05～2.0质量％，上述(B)成分的配合量为0.005～1.5质量％，上述(A)成分的配合量(WA)与上述(B)成分的配合量(WB)的比(WA/WB)为0.1～200，而且pH值为1～5。
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公开(公告)号：CN1592955A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03801567.6
申请日：2003-08-08
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B23K26/382 , B23K26/082 , B23K26/0823 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/30 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24D18/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体晶片用抛光垫加工方法和半导体晶片用抛光垫，以使内表面的表面粗糙度在20μm以下，并且可形成尺寸精度高、截面形状均匀的沟槽、凹部和通孔等。在本发明的加工方法中，对具有包含交联聚合物的非水溶性基质和分散在该非水溶性基质中的水溶性颗粒的半导体晶片用抛光垫的抛光面进行切削加工等。此外，在加工时，更优选在具有吸引孔的加工桌的一个侧面上配置抛光垫，通过从加工桌的另一侧面实施吸引，将垫吸附在该加工桌的一个侧面上而使其固定后，形成所述沟槽等。
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公开(公告)号：CN100548576C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200410045172.7
申请日：2004-04-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
Abstract: 一种用于化学机械抛光的抛光垫，其具有优良清除率和能够抛光以获得优良平面性。这种抛光垫包含：(A)70-99.9质量%的交联二烯弹性体和(B)0.1-30质量%的含有酸酐结构的聚合物，以上述化合物(A)和(B)总量为100质量%计，并且其比重为0.9-1.2。
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公开(公告)号：CN100537143C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510078823.7
申请日：2005-04-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24B37/042
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫及其制造方法和化学机械研磨方法，该化学机械研磨垫的研磨面由算术表面粗糙度(Ra)为0.1～15μm、10点平均高度(Rz)为40～150μm、核心粗糙深度(Rk)为12～50μm、且衰减峰高度(Rpk)为7～40μm的表面构成。利用该垫，即使在对大孔径晶片的被研磨体进行化学机械研磨的情况下，也能形成具有优良表面均匀性和平坦性的被研磨面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100492597C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN03140681.5
申请日：2003-06-03
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明目的在于提供能有效抑制擦伤发生的抛光垫和多层抛光垫。本发明的抛光垫，其特征在于其中具有在抛光面侧形成的、且从呈环状、格状和螺旋状中选出至少一种形状的沟(a)、凹部(b)和贯穿抛光垫表里的通孔(c)中的至少一个部位，该部位内表面的表面粗糙度(Ra)处于20μm以下，用于化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN100398598C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN03154996.9
申请日：2003-08-26
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/28 , C08L9/00 , C08L23/0853 , C08L2666/06 , C08L2666/08
Abstract: 本发明涉及研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异，纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子，其中，上述非水溶性基质含有交联乙烯-醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1，2-聚丁二烯，且相对于上述非水溶性基质全体，含有规定量。
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公开(公告)号：CN1300828C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN03103346.6
申请日：2003-01-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B1/00 , C09K3/14 , C09G1/00
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有(A)磨料以及(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。
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公开(公告)号：CN1572424A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045393.4
申请日：2004-05-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L21/76229
Abstract: 一种具有不规则表面的待抛光物体的抛光方法，其中该物体具有带凸面和凹面的基质，在基质的凸面上形成的终止(stopper)层，和覆盖基质的凹面与终止层而形成的嵌入绝缘层，该方法的特征在于包括；第一抛光步骤：使用可维持500埃/分钟或更低抛光速度的淤浆(A)，使嵌入的绝缘层变平，和第二抛光步骤：使用可维持600埃/分钟或更高抛光速度的淤浆(B)，进一步抛光该嵌入的绝缘层，在待暴露的凸面上形成终止层。在制造半导体器件中，该方法可用于在浅沟槽隔离(浅沟槽隔离)过程中使晶片变平。
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公开(公告)号：CN1434491A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03103346.6
申请日：2003-01-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B1/00 , C09K3/14 , C09G1/00
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有(A)磨料以及(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。
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