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公开(公告)号：CN103928502B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201410165612.6
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1‑20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，将m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性GaN纳米线。本发明具有工艺简单，高生长效率，方向一致的优点，可用于制作高性能极性GaN纳米器件。
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公开(公告)号：CN103898506A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410166271.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlN纳米线生长中工艺复杂、生长效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铝源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性AlN纳米线。本发明具有工艺简单，高生长效率，高质量的优点，可用于制作高性能极性AlN纳米器件。
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公开(公告)号：CN102130159B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110001515.X
申请日：2011-01-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层(7)、隔离沟道层(8)和隔离势垒层(9)；栅极(11)位于势垒层与隔离势垒层之间的凹槽(14)中，栅极的两侧及底部设有介质层(13)。隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。
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公开(公告)号：CN110828293A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810913225.4
申请日：2018-08-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及一种基于SiC/金刚石复合衬底层的半导体器件及其制备方法。所述半导体器件的制备方法包括：制备复合衬底层，其中，所述复合衬底层包括SiC衬底层和金刚石层；利用化学气相沉积法在所述SiC衬底层的Si面生长AlN成核层；利用化学气相沉积法在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；利用化学气相沉积法在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层。本发明将具有高质量的SiC衬底层与具有高热导率的金刚石层相结合，形成SiC/金刚石复合衬底层结构，利用金刚石层的高热导率的优点，提高了单纯在SiC衬底层上生长大功率氮化物半导体材料的散热能力。
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公开(公告)号：CN106057915B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201610643966.6
申请日：2016-08-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/88 , H01L29/45 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n+GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN势垒层，InGaN隔离层，n+InGaN发射极欧姆接触层，圆形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明的二极管的发射极欧姆接触层采用InGaN材料，增大峰值电流，提高输出功率；二极管的制作方法中，生长InGaN后没有高温工艺，没有In析出，减小器件漏电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107369736B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710477886.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/263
Abstract: 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层，所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i‑GaN层和n‑GaN层，在n‑GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×1011～9×1018/cm2；质子能量为：0.5～10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性，制备超快响应照GaN光电导开关器件，可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域，具有重大的科学价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105977135B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610334385.4
申请日：2016-05-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备二硫化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。
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公开(公告)号：CN107369736A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710477886.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/263
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L21/263 , H01L31/1852 , H01L31/1856
Abstract: 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层，所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i-GaN层和n-GaN层，在n-GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×1011～9×1018/cm2；质子能量为：0.5～10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性，制备超快响应照GaN光电导开关器件，可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域，具有重大的科学价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103928501B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410165353.7
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InN纳米线生长中工艺成本高、效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InN纳米线。本发明具有成本低，生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InN纳米器件。(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源和氨气，利用
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公开(公告)号：CN105810562A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610334076.7
申请日：2016-05-19
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L21/02458 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C23C14/35 , C23C16/303 , C23C28/04 , H01L21/02485 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化镓层；(6)生长高V?Ш比氮化镓层。本发明生长的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化钼和磁控溅射氮化铝，氮化镓材料质量好，适用衬底范围大，有利于制作高性能的氮化镓基器件。
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