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公开(公告)号：CN116192257A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211201499.3
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B10/116 , A61B5/0205
Abstract: 本发明公开了一种基于可见光通信的健康监测与表征系统，该系统包括发射端和接收端；其中，发射端包括第一单片机核心电路，用于对采集到的人体体征信息对应的第一电信号进行调制编码，得到调制信号；功率放大与LED驱动电路，用于对调制信号进行放大处理，得到放大信号；LED发光模块，用于在放大信号的驱动下，产生可见光信号并发送出去；接收端包括：可见光检测电路，用于接收可见光信号，并将其转换为第二电信号；第二单片机核心电路，用于对第二电信号进行解调，以提取人体体征信息，从而实现健康监测。该系统具有可移动性、安全性以及功能多样性的特点，可以很好地满足实际需求，还可以用来实现体表信道表征。
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公开(公告)号：CN107369736B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710477886.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/263
Abstract: 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层，所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i‑GaN层和n‑GaN层，在n‑GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×1011～9×1018/cm2；质子能量为：0.5～10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性，制备超快响应照GaN光电导开关器件，可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域，具有重大的科学价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107369736A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710477886.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/263
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L21/263 , H01L31/1852 , H01L31/1856
Abstract: 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层，所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i-GaN层和n-GaN层，在n-GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×1011～9×1018/cm2；质子能量为：0.5～10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性，制备超快响应照GaN光电导开关器件，可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域，具有重大的科学价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105488491A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510976121.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G06K9/00369 , G06K9/4642 , G06K9/4671 , G06K9/6212 , G06K9/6223
Abstract: 本发明公开了基于金字塔匹配直方图交叉核的人体睡眠姿态检测方法，采用Artec和Kinect采集数据；建立出每个模型其自己的协调的系统；建立投影坐标系统，提取深度图像；通过SIFT算法提取出每一幅深度图像的尺度和旋转不变特征包；将得到的SIFT特征编码成可见的visual words并进行聚类，得到dictionary；通过统计属于每个质心的SIFT特征数目得到的bag of words代入到基于金字塔匹配直方图交叉核的人体睡眠姿态检测方法中识别出输入的每个3维人体睡眠模型的每一种睡眠姿态。本发明人为误差较小且不易产生分类灾难，对视角变化、仿射变换、噪声保持稳定性,实现了输入的每个3维人体睡眠模型的每一种具体的睡眠姿态的精确判断。
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公开(公告)号：CN103577690A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310521438.X
申请日：2013-10-29
Applicant: 西安电子科技大学
Inventor： 杨晓东 , 卡马尔·侯赛因·阿巴西 , 任爱锋 , 张志亚 , 赵伟
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种稀疏非参数身体域信道概率表征方法，包括以下步骤：S1采用体域网内的电磁波收发器采集数据；S2构建经验分布函数，并通过阶跃函数求解经验分布函数；S3使用经验分布函数近视密度函数，并构建回归函数；S4通过线性规划求解回归系数；S5通过对回归函数求导得到相应的概率函数；S6对得到的稀疏非参数概率模型进行评估和分析。本发明提出的表征模型不受具体传播情形的制约，由于其非参数特性，更适用于体域网内的无线通信。克服了以往模型对样本量有苛刻要求的问题，通过在回归过程中控制支持矢量的数量，使大量线性组合的系数为零，实现了回归系数的“稀疏化”。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116192257B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202211201499.3
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B10/116 , A61B5/0205
Abstract: 本发明公开了一种基于可见光通信的健康监测与表征系统，该系统包括发射端和接收端；其中，发射端包括第一单片机核心电路，用于对采集到的人体体征信息对应的第一电信号进行调制编码，得到调制信号；功率放大与LED驱动电路，用于对调制信号进行放大处理，得到放大信号；LED发光模块，用于在放大信号的驱动下，产生可见光信号并发送出去；接收端包括：可见光检测电路，用于接收可见光信号，并将其转换为第二电信号；第二单片机核心电路，用于对第二电信号进行解调，以提取人体体征信息，从而实现健康监测。该系统具有可移动性、安全性以及功能多样性的特点，可以很好地满足实际需求，还可以用来实现体表信道表征。
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公开(公告)号：CN109991599B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910215521.1
申请日：2019-03-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波成像技术领域，公开了一种基于单发单收共焦成像的微波成像系统及方法，计算机与射频信号源和频谱分析仪连接，频谱分析仪与接收天线连接，接收天线与亚克力支架相连，亚克力支架与可移动滑轨连接，微波暗室的底部安装有发射天线，发射天线与射频信号源连接。采用单发单收机制的共焦成像技术，通过控制单个接收天线按照预定的轨迹移动，实现对目标区域二维平面内的数据采集，降低了微波成像系统的复杂度，减少了设备的成本投入，提高了数据采集的准确度和可靠性，且模型简单对数值计算要求不高，能够提高后期数据处理的效率和图像的分辨率；提高了数据采集的效率。
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公开(公告)号：CN117030141A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311019849.9
申请日：2023-08-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01M3/16
Abstract: 一种口罩气密性及佩戴情况的检测系统及方法，系统包括：呼吸模拟平台，柔性天线，VNA矢量网络分析仪以及上位机；方法包括：步骤一、搭建呼吸模拟平台；步骤二、将柔性天线与步骤一中呼吸模拟平台的口罩紧密贴合，将柔性天线的信号输出端连接至VNA矢量网络分析仪的信号输入端，将VNA矢量网络分析仪与上位机双向信号连接；步骤三、使用呼吸模拟平台以固定频率模拟数次呼气、吸气，并通过步骤二中的VNA矢量网络分析仪对柔性天线的S参数数据进行记录，并传输至上位机进行数据处理，得出呼吸时柔性天线的S参数变化范围并实时绘制S参数变化曲线，从而实时检测口罩的气密性以及佩戴情况；本发明具有检测效率高，适用范围广以及成本较低的优点。
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公开(公告)号：CN116827521A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310669991.1
申请日：2023-06-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于无线体域网信道提取弱随机源的方法。基于无线体域网信道提取弱随机源的方法包括：将矢量网络分析仪、标准喇叭天线及同轴适配器进行连接，得到随机源采集装置；所述随机源采集装置通过探针信号耦合用户身体组织特征；基于所述用户身体组织特征，设定随机源采集频段；根据所述随机源采集频段进行数据采集，得到弱随机源，其中，通过伪彩图显示所述弱随机源。本发明的基于无线体域网信道提取弱随机源的方法提高了生成随机源的安全性及便捷性。
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公开(公告)号：CN107302033A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710471829.3
申请日：2017-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , H01L31/02168 , H01L31/0735
Abstract: 本发明公开了一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池，包括n-Si衬底和InGaN/GaN层，InGaN/GaN层包括AlN成核层、GaN缓冲层、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构和p-GaN层，p-GaN层表面为纳米陷光结构；p-GaN层和n-GaN层表面引出Ni/Cr/Au欧姆电极。本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有陷光结构的InGaN/GaN电池原型器件，包括表面条栅结构和周期性纳米阵列，实现表面高减反特性；由于采用了纳米陷光结构，有利于增加入射光程，增加光程和有效光吸收，产生更多的光生载流子，提高电池的光电流和转换效率。
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