公开(公告)号：CN110828293A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810913225.4

申请日：2018-08-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 任泽阳 ,  张雅超 ,  张进成 ,  张金风 ,  林志宇 ,  袁冠生 ,  郝跃

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及一种基于SiC/金刚石复合衬底层的半导体器件及其制备方法。所述半导体器件的制备方法包括：制备复合衬底层，其中，所述复合衬底层包括SiC衬底层和金刚石层；利用化学气相沉积法在所述SiC衬底层的Si面生长AlN成核层；利用化学气相沉积法在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；利用化学气相沉积法在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层。本发明将具有高质量的SiC衬底层与具有高热导率的金刚石层相结合，形成SiC/金刚石复合衬底层结构，利用金刚石层的高热导率的优点，提高了单纯在SiC衬底层上生长大功率氮化物半导体材料的散热能力。

公开(公告)号：CN110828314A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810914883.5

申请日：2018-08-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 袁冠生 ,  任泽阳 ,  张金风 ,  陈万娇 ,  苏凯 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种基于Al2O3/SiNx双层栅介质的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述方法包括：选取金刚石衬底；在所述金刚石衬底的上表面生长氢终端吸附层；在所述氢终端吸附层的上表面生长源电极和漏电极；在所述源电极的上表面、所述漏电极的上表面以及所述源电极与所述漏电极之间的氢终端吸附层的上表面生长Al2O3材料，形成第一介质层；在所述第一介质层的上表面生长SiNx材料，形成第二介质层；在所述第二介质层的上表面生长栅电极。本发明采用Al2O3/SiNx双层结构作为栅介质，在薄层Al2O3介质上方沉积一层SiNx介质，能够减小栅极电容，改善器件的频率特性，同时还起到钝化作用，能够显著增强器件的稳定性。