公开(公告)号：CN108389787A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810111658.8

申请日：2018-02-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布罗克迈耶 ,  F·希勒 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  D·施勒格尔 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/22 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36 ,  H01L21/782

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。具体而言，外延槽形成在半导体衬底中，其中半导体衬底的矩阵区段横向地分隔外延槽并且包括第一半导体材料。晶体的第二半导体材料的外延区域在外延槽中形成，其中第二半导体材料与第一半导体材料的不同之处在于孔隙率和杂质含量中的至少一种。由外延区域形成半导体器件的半导体主体的至少主要主体部分。

公开(公告)号：CN105006489B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510179179.6

申请日：2015-04-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  J·G·拉文 ,  R·巴布斯克

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提出了一种半导体二极管。半导体主体中的半导体二极管包括在第一导电类型的漂移区和第二、相反导电类型的第一电极区之间的注入效率控制区。该注入效率控制区包括超结结构，该超结结构包括沿横向方向连续地布置并且相互直接邻接的第一导电类型的阻挡区和第二导电类型的补偿区。该阻挡区的、沿该阻挡区的垂直延伸的平均净掺杂浓度是该漂移区的、沿与该阻挡区邻接的该漂移区的垂直延伸的20％的平均净掺杂浓度的至少三倍。

公开(公告)号：CN107863380A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711349813.1

申请日：2014-09-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  R·巴布斯克

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396

Abstract: 一种半导体器件包括绝缘栅双极性晶体管(IGBT)装置。所述IGBT装置包括发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第一构造区段和发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第二构造区段。第一构造区段和第二构造区段被布置在半导体器件的半导体衬底的主表面处。此外，IGBT装置包括集电极层和漂移层。集电极层被布置在半导体衬底的背面表面处，并且漂移层被布置在集电极层与第一构造区段和第二构造区段的发射极侧IGBT结构之间。另外，集电极层包括与第二掺杂区段横向地邻近的第一掺杂区段。第一掺杂区段和第二掺杂区段包括不同的电荷载子寿命、不同的传导性类型或不同的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN107689343A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710660496.9

申请日：2017-08-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·鲍姆加特尔 ,  O·黑尔蒙德 ,  I·莫德 ,  I·穆里 ,  T·C·奈德哈特 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76248 ,  H01L21/28 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76272 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/764 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76838

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成填充有牺牲材料的沟槽。所述沟槽从第一侧延伸到半导体衬底中。在所述半导体衬底的第一侧和所述沟槽之上形成外延层。从所述半导体衬底的与所述第一侧相反的第二侧去除所述沟槽中的牺牲材料。用导电材料填充所述沟槽。

公开(公告)号：CN107403830A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710297324.X

申请日：2017-04-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·C·布兰特 ,  T·奥尔 ,  M·普法芬莱纳 ,  F·D·普菲尔施 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹 ,  H-J·舒尔策 ,  A·R·斯特格纳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7424 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/74

Abstract: 公开了半导体器件及其制造。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括：第一侧、在平行于第一侧的方向上界定半导体本体的边缘、有源区域、布置在有源区域和边缘之间的外围区域、从有源区域延伸到外围区域中的第一传导类型的第一半导体区域、与第一半导体区域形成pn结的第二传导类型的第二半导体区域、与第一半导体区域相邻并且布置在第一侧处并且在第二半导体区域与边缘之间的第二传导类型的第一边缘终止区域、以及布置在第一侧处并且在第一边缘终止区域和边缘之间的第一传导类型的第二边缘终止区域。第二边缘终止区域具有第一传导类型的变化的掺杂剂浓度，其至少在紧接第一边缘终止区域随着距第一边缘终止区域的距离的增加而实质上线性地增加。

公开(公告)号：CN104078514B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201410113715.8

申请日：2014-03-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·拉普 ,  C·黑希特 ,  J·康拉斯 ,  W·伯格纳 ,  H-J·舒尔策 ,  R·埃尔佩尔特

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/772 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/045 ,  H01L21/046 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/565 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提出了一种碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。碳化硅器件包含碳化硅衬底、无机钝化层结构和模塑材料层。无机钝化层结构至少部分第横向地覆盖碳化硅衬底的主表面，并且模塑材料层被布置为邻近于无机钝化层结构。

公开(公告)号：CN107068550A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710064021.3

申请日：2017-02-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·森 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/0684 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/326 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/265 ,  H01L29/732

Abstract: 本公开涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该方法包括将第一导电类型的第一掺杂剂原子结合到半导体衬底中以形成包括第一导电类型的第一掺杂区。此外，该方法包括在半导体衬底上形成外延半导体层，以及在形成外延半导体层之前或之后，结合第二导电类型的第二掺杂剂原子以形成包括第二导电类型的与第一掺杂区相邻的第二掺杂区，使得pn结位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。pn结位于与半导体衬底和外延半导体层之间的界面相距小于5μm的垂直距离中。另外，该方法包括基于自对准减薄工艺来减薄半导体衬底。自对准减薄工艺基于pn结的位置而自控制。

公开(公告)号：CN107039252A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611018130.3

申请日：2016-11-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·拉普 ,  I·莫德 ,  I·穆里 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/306

Abstract: 各种实施例涉及用于减薄衬底的方法。根据各种实施例，一种方法可以包括：提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底；通过处理衬底的第一侧而在衬底中或上方中的至少一项形成掩埋层；将衬底从衬底的第二侧减薄，其中掩埋层包括与衬底相比对减薄具有较大抵抗性的固态化合物，并且其中减薄在掩埋层处停止。

公开(公告)号：CN106356286A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610561974.6

申请日：2016-07-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  J·鲍姆加特尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开涉及包括氧扩散阻挡的半导体器件及制造方法。具体地，制造半导体我器件的方法的实施例包括：在直拉或磁性直拉硅衬底的第一表面上形成氧扩散阻挡。硅层形成在氧扩散阻挡上。在硅层中形成p掺杂和n掺杂半导体器件区域。该方法还包括形成第一和第二负载终端接触件。

公开(公告)号：CN106098553A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610247808.9

申请日：2016-04-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·鲍姆加特尔 ,  M·屈恩勒 ,  E·莱凯尔 ,  D·施勒格尔 ,  H-J·舒尔策 ,  C·魏斯

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/283 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法被提供。该方法包括：提供具有一表面的半导体衬底；在该表面上沿垂直于该表面的竖直方向外延生长出背侧发射层，其中，背侧发射层具有第一导电类型的掺杂物或与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物；在背侧发射层上方沿着竖直方向外延生长出漂移层，漂移层具有第一导电类型的掺杂物，其中，背侧发射层的掺杂物浓度高于漂移层的掺杂物浓度；并且在漂移层内或在漂移层的顶部上形成体区域，体区域具有第二导电类型的掺杂物，体区域与漂移层之间的过渡形成PN结。外延生长出漂移层包括：在漂移层内形成第一导电类型的掺杂物沿着竖直方向的掺杂物浓度走向，掺杂物浓度走向为第一导电类型掺杂物的浓度沿竖直方向的变化。