公开(公告)号：CN101656210A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910167372.2

申请日：2009-08-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八岛清孝 ,  木胁义成 ,  鎌田满 ,  狩野祥男 ,  成井启修 ,  冈野展贤

IPC: H01L21/308 ,  H01S5/227 ,  H01S5/323 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01L33/00 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了半导体发光元件及凸起部分。在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于衬板的 方向的凸起部分的凸起部分形成方法包括：(a)在衬板上形成平行于 方向的掩模层；(b)蚀刻衬板以形成凸起部分上层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ U 的等腰梯形；以及(c)进一步蚀刻衬板以形成凸起部分下层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ D (其中θ D ≠θ U )的等腰梯形。

公开(公告)号：CN1308483C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03801066.6

申请日：2003-06-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐佐木浩司 ,  成井启修 ,  簗嶋克典 ,  目目泽聪彦

IPC: C23C14/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/228 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明公开了一种薄膜形成装置，借助于该装置可以将原料气体均匀地输送至基底表面，从而可以在基底表面上形成厚度均匀的有机薄膜。该薄膜形成装置包括真空室(11)，设置在真空室(11)中的基底座(12)，和用于向基底座(12)的基底安装表面(12a)输送气体的气体输送端元件(22)。该装置的特征在于使气体输送端元件(22)形成为以细长形状将原料气体输送至基底安装表面(12a)。

公开(公告)号：CN1659303A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813163.3

申请日：2003-06-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 簗嶋克典 ,  成井启修 ,  目目泽聪彦 ,  佐佐木浩司

IPC: C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 一种在没有加热成膜表面下在衬底表面形成性质均匀的有机薄膜的方法。蒸发单一的有机材料的成膜成分而产生气体(成膜成分气体)(g2)，并向放置衬底(W)的反应室(11)输送并供入，并在反应室(11)内的衬底(W)上淀积保持成膜成分的有机材料以形成有机薄膜。当有机材料淀积时，衬底(W)保持冷却。通过载气如惰性气体(g1)向反应室(11)输送并供入成膜成分气体(g2)。通过重复有机材料的这种淀积，可形成多层不同成膜材料的有机薄膜。

公开(公告)号：CN1536786A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410033394.7

申请日：2004-04-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  渡部义昭 ,  御友重吾 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H04B10/00 ,  H04B10/24

CPC classification number: H04B10/1149 ,  H04B10/116

Abstract: 一种光信息发送、照明设备2被安装在提供一个遍常使用的、现有类型照明设备以施加光的地方。该照明设备2包括用于施加光的照明光源4和用于发送光信息的信息发送单元5。可能接收来自该照明设备2的信息的用户具有移动终端3，该移动终端接收从该信息发送单元5发送的光信息。由于现有类型的照明设备在我们的生活空间中被普遍使用。因此，光信息发送、照明设备2可把使用现有类型照明设备的每个地方变换成光通信空间。

公开(公告)号：CN1160910A

公开(公告)日：1997-10-01

申请号：CN96105715.7

申请日：1996-02-23

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 土居正人 ,  成井启修 ,  中尾敬

IPC: G11B7/12

Abstract: 本发明的光学装置包括发光部分、聚光器件和光接受部分，其中由发光部分发出的光被聚光器件会聚并照射于被照射部分上，从被照射部分反射的返回光再被聚光器件会聚；光接受部分以及来自受照射部分之返回光位于所述聚光器件的共焦点附近；从发光部分发射的光通过相同光轴的光路，并且在其于被照射部分上被反射之前和之后由光接受部分接收，光接受部分根据差动法检测信号。

公开(公告)号：CN101569069B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200880001217.7

申请日：2008-05-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  狩野祥男 ,  鎌田满 ,  高瀬英治 ,  大金诚 ,  长竹刚 ,  成井启修

IPC: H01S5/223 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/227 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3077 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3432

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。

公开(公告)号：CN101355233A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810127276.0

申请日：2004-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  成井启修 ,  黑水勇一 ,  山内义则 ,  田中嘉幸

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/18 ,  H01S5/227

CPC classification number: G02B6/4296 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/32308 ,  H01S2301/18 ,  H01S2301/203

Abstract: 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。

公开(公告)号：CN100438104C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610008643.6

申请日：2006-02-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 里泰雄 ,  御友重吾 ,  横关弥树博 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/343

Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1-v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm-3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm-3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。

公开(公告)号：CN100385757C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200510075572.7

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  成井启修 ,  黑水勇一 ,  山内义则 ,  田中嘉幸

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18388 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18394 ,  H01S2301/166

Abstract: 本发明涉及一种可以以如单横模的单峰光束进行激光振荡的面发射半导体激光器，和可以容易地以高成品率制造这样的激光器的制造方法。当在n型半导体衬底上形成具有柱型平台结构的面发射半导体激光器时，形成平台部分且直到p侧电极和n侧电极被形成。此后，跨p侧和n侧电极施加电压，且在提取输出光的同时激光器置于蒸汽气氛，由此在作为p型DBR层顶层的p型AlwGa1-wAs层上形成Al氧化物层，且形成如凹透镜的折射率分布。

公开(公告)号：CN1976076A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610160943.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公 ,  小林俊雅 ,  成井启修

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件具有高反射率，并且在反光层和半导体层之间具有高电接触属性。该半导体发光器件是通过在透明衬底上顺序层叠半导体层、反光层和保护层形成的。半导体层是通过顺序层叠缓冲层、GaN层、n型接触层、n型覆层、有源层、p型覆层和p型接触层形成的。反光层是通过在以例如从100℃到小于400℃的温度加热衬底的同时在p型接触层的表面上沉积Ag合金形成的。在形成了半导体层、反光层和保护层后，半导体层、反光层和保护层在预定时间中被以比在加热衬底时的温度范围高的温度范围内的环境温度加热。