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公开(公告)号：CN1592011A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410085503.X
申请日：2004-05-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: G02B6/4296 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18388 , H01S5/18394 , H01S5/2214 , H01S5/32308 , H01S2301/18 , H01S2301/203
Abstract: 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。
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公开(公告)号：CN100340038C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410068435.6
申请日：2004-05-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/18311 , H01S5/305 , H01S5/343 , H01S2301/166
Abstract: 一种平面发射型半导体激光器件，包括：在n型GaAs台面式衬底上的、下反射层、下覆盖层、活性层、上覆盖层、上反射层，以及p型接触层的叠层结构。台面式衬底包括：圆形(100)晶面的上层部分、台面部分以及围绕上层部分的环形(100)晶面的下层部分，其中在上层部分和下层部分之间具有台面部分。当在台面式衬底上生长作为电流限制层的AlAs层时，使得上层部分的上侧上的AlAs层中的杂质浓度比台面部分的上侧上的AlAs层中的杂质浓度高，从而使上层部分的上侧上的AlAs层的氧化过程受到自主抑制。通过AlAs层的氧化反应的时间控制，可以将上层部分的上侧上的圆形AlAs层维持在具有精确形状和精确面积的未氧化状态。
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公开(公告)号：CN1964145A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610136631.1
申请日：2004-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B6/4296 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18388 , H01S5/18394 , H01S5/2214 , H01S5/32308 , H01S2301/18 , H01S2301/203
Abstract: 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。
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公开(公告)号：CN101188267B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710305145.2
申请日：2007-10-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。
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公开(公告)号：CN101355233A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810127276.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B6/4296 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18388 , H01S5/18394 , H01S5/2214 , H01S5/32308 , H01S2301/18 , H01S2301/203
Abstract: 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100385757C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510075572.7
申请日：2005-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/18388 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18394 , H01S2301/166
Abstract: 本发明涉及一种可以以如单横模的单峰光束进行激光振荡的面发射半导体激光器，和可以容易地以高成品率制造这样的激光器的制造方法。当在n型半导体衬底上形成具有柱型平台结构的面发射半导体激光器时，形成平台部分且直到p侧电极和n侧电极被形成。此后，跨p侧和n侧电极施加电压，且在提取输出光的同时激光器置于蒸汽气氛，由此在作为p型DBR层顶层的p型AlwGa1-wAs层上形成Al氧化物层，且形成如凹透镜的折射率分布。
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公开(公告)号：CN1976076A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610160943.6
申请日：2006-12-01
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件具有高反射率，并且在反光层和半导体层之间具有高电接触属性。该半导体发光器件是通过在透明衬底上顺序层叠半导体层、反光层和保护层形成的。半导体层是通过顺序层叠缓冲层、GaN层、n型接触层、n型覆层、有源层、p型覆层和p型接触层形成的。反光层是通过在以例如从100℃到小于400℃的温度加热衬底的同时在p型接触层的表面上沉积Ag合金形成的。在形成了半导体层、反光层和保护层后，半导体层、反光层和保护层在预定时间中被以比在加热衬底时的温度范围高的温度范围内的环境温度加热。
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公开(公告)号：CN101188267A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710305145.2
申请日：2007-10-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。
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公开(公告)号：CN1536786A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410033394.7
申请日：2004-04-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04B10/1149 , H04B10/116
Abstract: 一种光信息发送、照明设备2被安装在提供一个遍常使用的、现有类型照明设备以施加光的地方。该照明设备2包括用于施加光的照明光源4和用于发送光信息的信息发送单元5。可能接收来自该照明设备2的信息的用户具有移动终端3，该移动终端接收从该信息发送单元5发送的光信息。由于现有类型的照明设备在我们的生活空间中被普遍使用。因此，光信息发送、照明设备2可把使用现有类型照明设备的每个地方变换成光通信空间。
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公开(公告)号：CN101355233B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200810127276.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G02B6/4296 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18388 , H01S5/18394 , H01S5/2214 , H01S5/32308 , H01S2301/18 , H01S2301/203
Abstract: 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。
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