发明授权
CN100385757C 半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor laser, its manufacturing method, and manufacturing method of electron device
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申请号： CN200510075572.7申请日： 2005-06-06
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公开(公告)号： CN100385757C公开(公告)日： 2008-04-30
- 发明人: 渡部义昭 , 成井启修 , 黑水勇一 , 山内义则 , 田中嘉幸
- 申请人： 索尼株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 索尼株式会社
- 当前专利权人： 索尼株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波; 侯宇
- 优先权： 166869/04 2004.06.04 JP
- 主分类号： H01S5/18
- IPC分类号： H01S5/18 ; H01S5/183
摘要：
本发明涉及一种可以以如单横模的单峰光束进行激光振荡的面发射半导体激光器，和可以容易地以高成品率制造这样的激光器的制造方法。当在n型半导体衬底上形成具有柱型平台结构的面发射半导体激光器时，形成平台部分且直到p侧电极和n侧电极被形成。此后，跨p侧和n侧电极施加电压，且在提取输出光的同时激光器置于蒸汽气氛，由此在作为p型DBR层顶层的p型AlwGa1-wAs层上形成Al氧化物层，且形成如凹透镜的折射率分布。
公开/授权文献
- CN1707888A 半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法 公开/授权日：2005-12-14
