公开(公告)号：CN100438104C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610008643.6

申请日：2006-02-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 里泰雄 ,  御友重吾 ,  横关弥树博 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/343

Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1-v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm-3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm-3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。

公开(公告)号：CN1822406A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008643.6

申请日：2006-02-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 里泰雄 ,  御友重吾 ,  横关弥树博 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/343

Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1－xInxNyAs1－y－zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1－v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm－3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm－3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。

公开(公告)号：CN1670917A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055793.8

申请日：2005-03-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 里泰雄 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/0062 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制造化合物半导体以及制造半导体器件的方法，该半导体包括衬底和相对于该衬底的晶格失配比为2％或更多的化合物半导体层，该制造半导体的方法包括：在所述衬底上形成缓冲层的第一外延生长步骤，该缓冲层在厚度方向上具有预定分布的晶格失配比来减小应变；和在缓冲层上形成化合物半导体层的第二外延生长步骤。第一外延生长步骤在600℃或更低的温度下通过金属有机化学气相沉积来进行。