公开(公告)号：CN101569069A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001217.7

申请日：2008-05-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  狩野祥男 ,  鎌田满 ,  高瀬英治 ,  大金诚 ,  长竹刚 ,  成井启修

IPC: H01S5/223 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/227 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3077 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3432

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。

公开(公告)号：CN101728765B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200910206349.X

申请日：2009-10-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中岛真 ,  横山隆浩 ,  狩野祥男

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/14 ,  H01S2301/176

Abstract: 提供一种能够独立驱动每个脊部，并且抑制由施加于脊部的应力引起的偏振角的旋转，而不降低可靠性的激光二极管，以及制造所述激光二极管的方法。激光二极管包括：其间存在条状沟槽的相互平行的三个或更多的条状脊部，所述条状脊部至少顺序包括下覆层、活性层和上覆层；在每个脊部的顶面上，与上覆层电连接的上电极；至少在沟槽上方悬空的电连接上电极的布线层；和在与脊部区和沟槽区不同的区域中的通过布线层与上电极电连接的焊盘电极。

公开(公告)号：CN101569069B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200880001217.7

申请日：2008-05-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  狩野祥男 ,  鎌田满 ,  高瀬英治 ,  大金诚 ,  长竹刚 ,  成井启修

IPC: H01S5/223 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/227 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3077 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3432

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。

公开(公告)号：CN101656210A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910167372.2

申请日：2009-08-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八岛清孝 ,  木胁义成 ,  鎌田满 ,  狩野祥男 ,  成井启修 ,  冈野展贤

IPC: H01L21/308 ,  H01S5/227 ,  H01S5/323 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01L33/00 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了半导体发光元件及凸起部分。在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于衬板的 方向的凸起部分的凸起部分形成方法包括：(a)在衬板上形成平行于 方向的掩模层；(b)蚀刻衬板以形成凸起部分上层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ U 的等腰梯形；以及(c)进一步蚀刻衬板以形成凸起部分下层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ D (其中θ D ≠θ U )的等腰梯形。

公开(公告)号：CN101656210B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200910167372.2

申请日：2009-08-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八岛清孝 ,  木胁义成 ,  鎌田满 ,  狩野祥男 ,  成井启修 ,  冈野展贤

IPC: H01L21/308 ,  H01S5/227 ,  H01S5/323 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01L33/00 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了半导体发光元件及凸起部分。在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于衬板的 方向的凸起部分的凸起部分形成方法包括：(a)在衬板上形成平行于 方向的掩模层；(b)蚀刻衬板以形成凸起部分上层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θU的等腰梯形；以及(c)进一步蚀刻衬板以形成凸起部分下层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θD(其中θD≠θU)的等腰梯形。

公开(公告)号：CN101728765A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910206349.X

申请日：2009-10-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中岛真 ,  横山隆浩 ,  狩野祥男

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/14 ,  H01S2301/176

Abstract: 提供一种能够独立驱动每个脊部，并且抑制由施加于脊部的应力引起的偏振角的旋转，而不降低可靠性的激光二极管，以及制造所述激光二极管的方法。激光二极管包括：其间存在条状沟槽的相互平行的三个或更多的条状脊部，所述条状脊部至少顺序包括下覆层、活性层和上覆层；在每个脊部的顶面上，与上覆层电连接的上电极；至少在沟槽上方悬空的电连接上电极的布线层；和在与脊部区和沟槽区不同的区域中的通过布线层与上电极电连接的焊盘电极。