公开(公告)号：CN101656210B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200910167372.2

申请日：2009-08-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八岛清孝 ,  木胁义成 ,  鎌田满 ,  狩野祥男 ,  成井启修 ,  冈野展贤

IPC: H01L21/308 ,  H01S5/227 ,  H01S5/323 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01L33/00 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了半导体发光元件及凸起部分。在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于衬板的 方向的凸起部分的凸起部分形成方法包括：(a)在衬板上形成平行于 方向的掩模层；(b)蚀刻衬板以形成凸起部分上层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θU的等腰梯形；以及(c)进一步蚀刻衬板以形成凸起部分下层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θD(其中θD≠θU)的等腰梯形。

公开(公告)号：CN101656210A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910167372.2

申请日：2009-08-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八岛清孝 ,  木胁义成 ,  鎌田满 ,  狩野祥男 ,  成井启修 ,  冈野展贤

IPC: H01L21/308 ,  H01S5/227 ,  H01S5/323 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01L33/00 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了半导体发光元件及凸起部分。在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于衬板的 方向的凸起部分的凸起部分形成方法包括：(a)在衬板上形成平行于 方向的掩模层；(b)蚀刻衬板以形成凸起部分上层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ U 的等腰梯形；以及(c)进一步蚀刻衬板以形成凸起部分下层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ D (其中θ D ≠θ U )的等腰梯形。