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公开(公告)号：CN101232067A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710186807.9
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1874022A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610099847.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN100385035C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN03813163.3
申请日：2003-06-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/228 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 一种在没有加热成膜表面下在衬底表面形成性质均匀的有机薄膜的方法。蒸发单一的有机材料的成膜成分而产生气体(成膜成分气体)(g2)，并向放置衬底(W)的反应室(11)输送并供入，并在反应室(11)内的衬底(W)上淀积保持成膜成分的有机材料以形成有机薄膜。当有机材料淀积时，衬底(W)保持冷却。通过载气如惰性气体(g1)向反应室(11)输送并供入成膜成分气体(g2)。通过重复有机材料的这种淀积，可形成多层不同成膜材料的有机薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1556872A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801066.6
申请日：2003-06-17
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/228 , C23C14/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜形成装置，借助于该装置可以将原料气体均匀地输送至基底表面，从而可以在基底表面上形成厚度均匀的有机薄膜。该薄膜形成装置包括真空室(11)，设置在真空室(11)中的基底座(12)，和用于向基底座(12)的基底安装表面(12a)输送气体的气体输送端元件(22)。该装置的特征在于使气体输送端元件(22)形成为以细长形状将原料气体输送至基底安装表面(12a)。
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公开(公告)号：CN101232067B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200710186807.9
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1308483C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03801066.6
申请日：2003-06-17
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/228 , C23C14/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜形成装置，借助于该装置可以将原料气体均匀地输送至基底表面，从而可以在基底表面上形成厚度均匀的有机薄膜。该薄膜形成装置包括真空室(11)，设置在真空室(11)中的基底座(12)，和用于向基底座(12)的基底安装表面(12a)输送气体的气体输送端元件(22)。该装置的特征在于使气体输送端元件(22)形成为以细长形状将原料气体输送至基底安装表面(12a)。
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公开(公告)号：CN1659303A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813163.3
申请日：2003-06-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/228 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 一种在没有加热成膜表面下在衬底表面形成性质均匀的有机薄膜的方法。蒸发单一的有机材料的成膜成分而产生气体(成膜成分气体)(g2)，并向放置衬底(W)的反应室(11)输送并供入，并在反应室(11)内的衬底(W)上淀积保持成膜成分的有机材料以形成有机薄膜。当有机材料淀积时，衬底(W)保持冷却。通过载气如惰性气体(g1)向反应室(11)输送并供入成膜成分气体(g2)。通过重复有机材料的这种淀积，可形成多层不同成膜材料的有机薄膜。
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公开(公告)号：CN100438109C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610099847.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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