公开(公告)号：CN1992359A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064047.X

申请日：2006-09-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  盐见治典 ,  风田川统之 ,  网隆明 ,  宫嵨孝夫 ,  平松雄司 ,  畑田出穗 ,  冈野展贤 ,  冨谷茂隆 ,  簗嵨克典 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的衬底并且在形成三角形截面的状态下在衬底的每个凹入部上生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，突起部由与衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN100438109C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610099847.5

申请日：2006-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  富谷茂隆 ,  前田勇树 ,  盐见治典 ,  网隆明 ,  宫嶋孝夫 ,  簗嶋克典 ,  丹下贵志 ,  安田淳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/20 ,  H01L27/15 ,  F21S4/00 ,  G02F1/13357

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101232067B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200710186807.9

申请日：2006-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  冨谷茂隆 ,  前田勇树 ,  盐见治典 ,  网隆明 ,  宫嶋孝夫 ,  簗嶋克典 ,  丹下贵志 ,  安田淳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/20 ,  H01L27/15 ,  F21S4/00 ,  F21V23/00 ,  G02F1/13357

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN1992359B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200610064047.X

申请日：2006-09-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  盐见治典 ,  风田川统之 ,  网隆明 ,  宫嵨孝夫 ,  平松雄司 ,  畑田出穗 ,  冈野展贤 ,  冨谷茂隆 ,  簗嵨克典 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的异质衬底并且在异质衬底的每个凹入部上经过形成三角形截面的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，突起部由与异质衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在异质衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101232067A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710186807.9

申请日：2006-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  冨谷茂隆 ,  前田勇树 ,  盐见治典 ,  网隆明 ,  宫嶋孝夫 ,  簗嶋克典 ,  丹下贵志 ,  安田淳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/20 ,  H01L27/15 ,  F21S4/00 ,  F21V23/00 ,  G02F1/13357

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN1874022A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610099847.5

申请日：2006-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  富谷茂隆 ,  前田勇树 ,  盐见治典 ,  网隆明 ,  宫嶋孝夫 ,  簗嶋克典 ,  丹下贵志 ,  安田淳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/20 ,  H01L27/15 ,  F21S4/00 ,  G02F1/13357

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。