公开(公告)号：CN1992359A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064047.X

申请日：2006-09-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  盐见治典 ,  风田川统之 ,  网隆明 ,  宫嵨孝夫 ,  平松雄司 ,  畑田出穗 ,  冈野展贤 ,  冨谷茂隆 ,  簗嵨克典 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的衬底并且在形成三角形截面的状态下在衬底的每个凹入部上生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，突起部由与衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN1992359B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200610064047.X

申请日：2006-09-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  盐见治典 ,  风田川统之 ,  网隆明 ,  宫嵨孝夫 ,  平松雄司 ,  畑田出穗 ,  冈野展贤 ,  冨谷茂隆 ,  簗嵨克典 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的异质衬底并且在异质衬底的每个凹入部上经过形成三角形截面的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，突起部由与异质衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在异质衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。