公开(公告)号：CN102684067A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210062338.0

申请日：2012-03-09

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大木智之 ,  仓本大 ,  幸田伦太郎 ,  渡边秀辉 ,  横山弘之

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/065 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/0602 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/166

Abstract: 本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，激光二极管元件包括(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，第二导电型与第一导电型不同，(b)第二电极，形成在第二化合物半导体层上，(c)第一电极，电连接至第一化合物半导体层，层压结构体包括脊条形结构，脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1＜Wmax/Wmin＜3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。

公开(公告)号：CN102376316A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110236437.1

申请日：2011-08-15

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤田五郎 ,  宫岛孝夫 ,  仓本大 ,  渡边秀辉

IPC: G11B7/004 ,  G11B7/126 ,  H01S5/343 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/0265 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/126 ,  G11B7/127 ,  G11B2007/00457 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0614 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/06821 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明涉及记录装置和光学振荡器装置。记录装置在光学记录介质中记录信息，该记录装置包括：自激振荡半导体激光器，其包括施加偏压的可饱和吸收体部分以及注入增益电流的增益部分，还发射激光以将所述信息记录到所述光学记录介质；基准信号产生单元，其产生主时钟信号，还将与所述主时钟信号同步的注入信号提供给所述自激振荡半导体激光器的所述增益部分；记录信号产生单元，其基于所述主时钟信号产生记录信号，还将所述记录信号提供给所述自激振荡半导体激光器的所述可饱和吸收体部分以作为所述偏压。

公开(公告)号：CN104852278B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201510072811.7

申请日：2015-02-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 河野俊介 ,  仓本大 ,  宫岛孝夫 ,  幸田伦太郎 ,  渡边秀辉

IPC: H01S5/06

Abstract: 公开了一种半导体激光设备组件，包括：半导体激光设备；以及色散补偿光学系统，在此入射和出射从半导体激光设备出射的激光，以控制从半导体激光设备出射的激光的每个波长的群速度色散值。

公开(公告)号：CN107005027A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580056071.6

申请日：2015-08-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 幸田伦太郎 ,  仓本大 ,  河野俊介 ,  渡边秀辉 ,  吉田浩

IPC: H01S5/50 ,  G02B6/122 ,  G02B6/42 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/1014 ,  G02B6/122 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/06253 ,  H01S5/2045 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/50 ,  H01S5/5081

Abstract: 一种光半导体元件，包括：由第一化合物半导体层21、第三化合物半导体层(有源层)23和第二化合物半导体层22构成的层叠结构体20。依次布置波导宽度为W1的基模波导区域40、宽度大于W1的自由传播区域50以及光射出区域60，所述光射出区域60具有朝着光射出端面25的方向而宽度增大的锥形(喇叭形)形状。

公开(公告)号：CN106663919A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580031161.X

申请日：2015-04-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 风田川统之 ,  滨口达史 ,  泉将一郎 ,  仓本大

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: 该发光元件至少具有：GaN衬底(11)；第一光反射层(41)，其形成所述GaN衬底(11)上，并且用作选择性生长掩膜层(44)；形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)以及第二化合物半导体层(22)；以及形成在所述第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。所述GaN衬底(11)表面的平面方向的离角等于或小于0.4°，所述第一光反射层(41)的面积等于或小于0.8S0，其中，所述GaN衬底(11)的面积由S0表示，并且作为所述第一光反射层的最低层(41A)，热膨胀缓解薄膜(44)形成在所述GaN衬底(11)上。

公开(公告)号：CN104347774A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410390677.0

申请日：2014-08-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  仓本大 ,  风田川统之

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法，所述发光元件包括：层叠结构体，所述层叠结构体包括第一化合物半导体层、有源层和第二化合物半导体层，所述第一化合物半导体层包括第一表面和面对所述第一表面的第二表面，所述有源层与所述第一化合物半导体层的第二表面接触；其中所述第一化合物半导体层的第一表面具有第一表面区域和第二表面区域，所述第一表面区域和所述第二表面区域在高度或者粗糙度的至少之一上不同，在至少一部分所述第一表面区域上形成第一光反射层，和在至少一部分所述第二表面区域上形成第一电极。

公开(公告)号：CN103515839A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310244679.4

申请日：2013-06-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 河野俊介 ,  仓本大 ,  齐藤公博 ,  小林诚司

IPC: H01S5/06 ,  G02B27/44

CPC classification number: G02B5/32 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0057 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/06253 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/14 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明公开了色散补偿光学设备以及半导体激光设备组件。该色散补偿光学设备包括：第一透射型体积全息图衍射光栅以及第二透射型体积全息图衍射光栅。所述第一和第二透射型体积全息图衍射光栅彼此相对设置。在每个第一和第二透射型体积全息图衍射光栅内，激光的入射角和一级衍射光的出射角的和为90°。

公开(公告)号：CN103022057A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110281329.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 索尼公司 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 吉田浩 ,  池田昌夫 ,  内田史朗 ,  丹下贵志 ,  仓本大 ,  有持佑之 ,  杨辉 ,  陆书龙 ,  郑新和

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/0687 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06875 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。提供具备子电池的多结太阳能电池，该子电池基底与晶格匹配、具有期望的带隙。本发明多结太阳能电池是多个子电池(11)，(12)，(13)，(14)叠层而成，子电池由第1化合物半导体层和第2化合物半导体层叠层而成，至少一个特定子电池(11)由第1层(11A1，11A2)和第2层(11C)构成，第1层(11A1，11A2)由第1-A层(11AA)和第1-B层(11AB)叠层而成，第2层11C由第2-A层(11CA)和第2-B层(11CB)叠层而成，基于特定子电池11的带隙值确定第1-A层(11AA)和第2-A层(11CA)的组成-A，基于基底晶格常数和组成-A的晶格常数之差确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)的组成-B，基于基底晶格常数与组成-B的晶格常数之差、第1-A层(11AA)厚度和第2-A层(11CA)厚度确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)厚度。

公开(公告)号：CN101834406B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201010129840.X

申请日：2010-03-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 一仓启慈 ,  仓本大

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063

Abstract: 一激光二极管装置，包括：包含铝Al的n型覆层；包含铟In、镓Ga和氮N的有源层；设置于衬底和n型覆层之间的共掺杂层。该共掺杂层也包含镓Ga和氮N，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅Si和锗Ge之一和作为受主工作的杂质的镁Mg和锌Zn之一。

公开(公告)号：CN102570298A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110319081.8

申请日：2011-10-19

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 横山弘之 ,  河野俊介 ,  仓本大

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/14 ,  H01S5/068

CPC classification number: H01S5/0657 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/141 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了激光二极管组件和半导体光学放大器组件。该激光二极管组件包括：锁模激光二极管器件，其中光输出谱通过自相位调制示出长波位移，外部谐振器和波长选择元件。由该波长选择元件提取从该锁模激光二极管器件穿过该外部谐振器发射的脉冲激光束的长波分量，并输出至外部。