公开(公告)号：CN103551745A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310463652.4

申请日：2001-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  和久田敏光

IPC: B23K26/40 ,  B23K26/06 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/073

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K20/26 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/034 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/16 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/023 ,  C03B33/082 ,  C03B33/102 ,  C03C23/0025 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T83/0341 ,  C03B33/091

Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物（1）的内部对准焦点（P），在加工对象物（1）的表面（3）的切割预定线（5）上照射脉冲激光（L），通过使聚光点（P）沿着切割预定线（5）移动，沿着切割预定线（5）在加工对象物（1）的内部形成改质区，通过从改质区开始，沿着切割预定线（5）分割加工对象物（1），能够用比较小的力切割加工对象物（1），由于在激光（L）的照射过程中，在加工对象物（1）的表面（3）上几乎不吸收脉冲激光（L），因此即使形成改质区也不会熔融表面（3）。

公开(公告)号：CN103551744A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310462591.X

申请日：2001-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  和久田敏光

IPC: B23K26/40 ,  B23K26/06 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/073

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K20/26 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/034 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/16 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/023 ,  C03B33/082 ,  C03B33/102 ,  C03C23/0025 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T83/0341

Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物（1）的内部对准焦点（P），在加工对象物（1）的表面（3）的切割预定线（5）上照射脉冲激光（L），通过使聚光点（P）沿着切割预定线（5）移动，沿着切割预定线（5）在加工对象物（1）的内部形成改质区，通过从改质区开始，沿着切割预定线（5）分割加工对象物（1），能够用比较小的力切割加工对象物（1），由于在激光（L）的照射过程中，在加工对象物（1）的表面（3）上几乎不吸收脉冲激光（L），因此即使形成改质区也不会熔融表面（3）。

公开(公告)号：CN102271859A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980153474.7

申请日：2009-12-04

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福满宪志 ,  大石真吾 ,  青岛绅一郎

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/03 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及激光加工装置。柱面透镜(4)使激光(L1)在Y轴方向(即YZ平面内)上发散，在X轴方向(即在ZX平面内)上不发散且不收束。而且，物镜(5)使从柱面透镜(4)射出的激光(L1)在Y轴方向上收束在点(P1)，在X轴方向上收束在点(P2)。由此，激光(L1)的剖面形状，在点(P1)成为在X轴方向上延伸的长条形状，在点(P2)成为在Y轴方向上延伸的长条形状。因此，通过使点(P1)位于加工对象物(S)的外部，使点(P2)位于加工对象物(S)的内部，从而在加工对象物(S)的内部的点(P2)所位于的部分，可以形成在Y轴方向上延伸的长条形状的加工区域。

公开(公告)号：CN100485902C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610164347.5

申请日：2003-03-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 藤井义磨郎 ,  福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B23K2203/50 ,  B28D5/00 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76894 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。

公开(公告)号：CN100485901C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610164346.0

申请日：2003-03-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 藤井义磨郎 ,  福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B23K2203/50 ,  B28D5/00 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76894 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。

公开(公告)号：CN100383926C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN03825711.4

申请日：2003-09-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福满宪志 ,  福世文嗣 ,  内山直己

IPC: H01L21/301 ,  B28D5/00 ,  B23K26/38 ,  B23K101/40

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  B28D5/0052 ,  Y10S148/903 ,  Y10T29/49254 ,  Y10T29/53465

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：将保护带(25)安装在晶片(1a)的表面(3)上，将晶片(1a)的背面(21)作为激光入射面，将聚光点P调整在基板(15)的内部，通过照射激光L，形成由多光子吸收产生的熔融处理区(13)，利用该熔融处理区(13)，沿着晶片(1a)的切断预定线(5)从激光入射面至规定距离内侧形成切断起点区(8)，将扩展带(23)安装在晶片(1a)的背面(21)上，通过使扩展带(23)伸展，使以切断起点区(8)为起点切断晶片(1a)而产生的多个芯片状部分(24)互相分离。

公开(公告)号：CN100355031C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN03805866.9

申请日：2003-03-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 藤井义磨郎 ,  福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B23K2203/50 ,  B28D5/00 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76894 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。

公开(公告)号：CN1328002C

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN03805863.4

申请日：2003-03-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志

IPC: B23K26/38 ,  B28D5/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/033 ,  C03B33/07 ,  C03B33/074 ,  H01L2924/01015

Abstract: 本发明提供一种能高精度切割加工对象物的加工对象物切割方法。按照该方法，使聚光点(P)在硅基板等的加工对象物(1)的内部聚合，照射激光(L)，在加工对象物(1)的内部形成由多光子吸收生成的调质领域(7)，利用该调质领域(7)，沿切割预定线形成从加工对象物(1)的厚度的中心线(CL)向加工对象物(1)的表面(3)侧偏靠的切割起点领域(8)。接着，从加工对象物(1)的背面(21)侧挤压加工对象物。这样，以切割起点领域(8)为起点发生破裂，可沿切割预定线实现高精度切割加工对象物(1)。

公开(公告)号：CN1902023A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200480040143.X

申请日：2004-12-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 渥美一弘 ,  久野耕司 ,  楠昌好 ,  铃木达也 ,  福满宪志 ,  福世文嗣

IPC: B23K26/04 ,  B23K26/38

CPC classification number: B23K26/048 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/78

Abstract: 提供一种可尽量减少在加工对象物的端部的激光的聚光点的偏离且可有效率地进行激光加工的激光加工方法。此激光加工方法具备：准备步骤，是将透镜保持于以聚光点对准加工对象物内部的规定的位置的方式设定的初期位置上；第一加工步骤(S11～S12)，以在初期位置上保持该透镜的状态照射加工用的第一激光，且使透镜与加工对象物沿着主面相对移动并在切断预定线的一端部形成改质区域；以及第二加工步骤(S13～S14)，在切断预定线的一端部形成改质区域之后解除将透镜保持在初期位置的状态，而在该解除之后，一边调整透镜与主面的间隔一边使透镜与加工对象物沿着主面相对移动而形成改质区域。

公开(公告)号：CN1728342A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510085444.0

申请日：2003-03-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 藤井义磨郎 ,  福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B23K2203/50 ,  B28D5/00 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76894 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。