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公开(公告)号：CN113253369A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110523559.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全介质纳米圆环阵列结构的宽色域结构色滤波器，该结构由介质材料基底层及其上周期结构圆环阵列组成。其中单个周期结构是以一个方形石英衬底上的硅环组成。通过调节本结构的圆环的内环直径以及圆环的高度可以对可见光进行操控，产生宽色域范围的颜色。本滤波器有结构设计简单、易于加工、颜色可靠、较大颜色可调等优点。在未来的超高分辨率打印技术和颜色显示相关领域有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN111327277A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010120589.4
申请日：2020-02-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。
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公开(公告)号：CN110823841A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911178130.3
申请日：2019-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41 , G01R33/032 , G01K11/32
Abstract: 本发明公开了一种基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器。所述D型光子晶体光纤传感器包括具有平面壁和曲面侧壁的多模光子晶体光纤，其横截面呈D形，在所述D型侧面上具有传感层，纤芯右侧对称的空气孔填充有温敏介质，纤芯下方空气孔填充有磁光介质。本发明在D形光子晶体光纤侧抛表面镀有一层金薄膜，作为传感层，实现高灵敏度的SPR折射率传感器，温敏介质由甲苯构成，实现温度传感，磁光介质由Fe3O4构成，实现磁场传感。本发明的优点是：克服了传统光纤传感器传感参数单一的不足，实现了温度、磁场、折射率三参量的实时测量。另外D型结构的设计减小了传感层与纤芯的距离，有利于与样品的强相互作用，进而实现了高达57900nm/RIU的超高传感灵敏度。该传感器设计新颖，体积小，集成度高，在未来实现光电子集成器件及多功能传感检测领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN109607597A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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公开(公告)号：CN109059971A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811114621.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
CPC classification number: G01D5/35387 , G01D5/35306
Abstract: 本发明提出了一种三孔缝结构的传感器，利用此结构的三个偶极子谐振单元的明模式谐振与暗模式谐振的互作用，产生具有陡的非对称的响应谱线型，从而设计出具有法诺共振现象透射谱的三孔缝结构的传感器。在相同的开关对比度情况下，非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。通过调控结构的几何参数，透射谱中出现了法诺峰的不同程度的红移，可实现法诺谐振的调谐，由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能实现传感器中谐振频率频段的变化，即工作频段不限于THz频段，本传感器可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108681707A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810463134.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G06K9/00825 , G06K9/00744 , G06K9/6292 , G06K2209/23 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统，当车辆经过车型识别采集区时截取出包含车辆的图像，首先对截取的包含车辆的图像进行裁剪，得到去除复杂背景的车辆图片，将车辆图片分割为车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块。再将车辆图片、车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块导入到深层多分支卷积神经网络中对车辆的全局和局部特征进行特征训练，并将车辆图片特征和各个分块特征进行特征融合。后通过分类器对融合后的特征进行分类识别。本发明将大角度车辆的全局和局部特征进行融合，能够明显的提高大角度车型识别的准确率。
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公开(公告)号：CN105140155B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510414886.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法，包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤，其中：所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡，在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
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公开(公告)号：CN106847887A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710026314.2
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/20 , H01L29/42376 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。
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公开(公告)号：CN104637941B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510057805.4
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造T型栅，两种不同的腐蚀液腐蚀形成栅凹槽，蒸Pt/Ti/Pt/Au金属化系统于栅凹槽形成肖特基接触，退火处理形成埋Pt技术，生长氮化硅钝化层，完成器件的制备。该发明工艺简单，器件可靠性强，便于重复。利用本发明制备出80nm栅长的器件获得了优异的直流性能和交流性能，最大输出饱和电流达到920mA/mm，非本征跨导达到1100mS/mm。器件的特征频率达到246GHz，最大振荡频率为301GHz。
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公开(公告)号：CN104986725A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510414119.8
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种周期性碗状结构模板及其制备方法，包括：在基底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上旋涂光刻胶，制备周期性微纳米光刻胶点阵图形，在光刻胶结构上沉积一层金属薄膜，经过剥离后得到金属孔阵图形，再以金属孔阵结构为掩膜，采用湿法腐蚀技术形成二氧化硅的碗状阵列结构，最后除去金属掩膜。本发明制备的周期性碗状模板面积大，结构均匀完整，在制备图形衬底、光子晶体、表面粗化、表面制绒和微纳米器件等方面有很好的应用前景，能广泛应用于LED、太阳能电池、光子晶体、量子器件等方面，或作为基底材料的刻蚀掩膜层，用于其它微纳米结构的制造。
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