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公开(公告)号：CN105226089A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510727727.4
申请日：2015-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的制作方法，包括：通过离子注入的方式，将硼注入到IGBT器件中；对所述IGBT器件进行高温退火，激活注入到所述IGBT器件的硼，并使硼达到所述IGBT器件的预设深度，形成P阱；将磷通过高能离子注入的方式注入到所述P阱下的预定位置，并进行高温退火激活所述高能磷，形成所述IGBT器件的N阱。除此之外，本发明还公开了一种IGBT芯片，应用如上述的IGBT芯片的制作方法，包括P阱、N阱和基区，所述N阱设置于所述P阱和所述基区之间。所述IGBT芯片通过在P阱和基区之间制作杂质浓度较高的N阱，提高了沟道中载流子的移动能力，减少了阈值电压，减少长工艺偏差和时间成本，提高了工艺效率，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN103367164B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310259631.0
申请日：2013-06-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供了一种栅极电极及其制备方法，该栅极电极包括形成在多晶硅层的第一区域上方的金属硅化物层，该金属硅化物层至少包括两个子区域。该金属硅化物层在功能上作为栅极电极的栅极电阻，该金属硅化物层的每个子区域相当于栅极电阻的一个分电阻，本发明将至少两个子区域并联起来从而实现了在主栅极区和栅极条之间形成由多个分电阻并联形成栅极电阻的目的。该栅极电极能够克服单个电阻串联在栅焊盘区和栅汇流条所带来的缺点：栅极电阻损坏，整个芯片就可能损坏的风险。同时，该栅极电极能够改善芯片间的均流特性和开关控制特性。
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公开(公告)号：CN102082524B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110053781.7
申请日：2011-03-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片通过若干数量的IGBT芯片及FRD芯片按比例反并联连接而成四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和发射极相连；控制电路与驱动电路连接，以控制功率半导体芯片的开通与关断；电流传感器获取检测功率半导体芯片的输出电流，将输出电流值发送到控制电路，控制电路依据输出电流值控制功率半导体芯片的功率输出。本发明集成多个功能元件，集成度较高，可节约设备空间。
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公开(公告)号：CN102130021A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110000519.6
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司 , 中国电力科学研究院
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN102130020A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110000503.5
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件的封装方法，选择覆铜的氮化铝作衬板材料，衬板上设有一层钼片作为焊接面；选择镀镍的铝碳化硅作基板材料，该封装方法包括以下步骤：将碳化硅芯片焊接在衬板的焊接面上，将衬板焊接在基板上；将引线的一端与碳化硅芯片的电极焊接，另一端与衬板上的电极焊接；将功率接线端子焊在衬板的电极上；安装管壳，填充热膨胀缓冲层和密封剂，再安装管盖。本发明可有效提高碳化硅功率器件的使用温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105336581A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510740640.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/331 , H01L21/67
CPC classification number: H01L29/66325 , H01L21/02 , H01L21/67011
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，其中，方法包括：通过在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。上述方法由于在第一硅片上贴了胶膜，可避免第一硅片减薄后翘曲过大，不利于后续加工，且同时能够降低成本，简化工艺过程。
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公开(公告)号：CN103311283B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310259231.X
申请日：2013-06-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L23/64
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种功率半导体芯片栅电阻，所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内，所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间，所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内，且所述栅极圈包围所述主栅极区，所述栅电阻至少包括两个分电阻，每个所述分电阻的一端连接所述主栅极区，另一端连接所述栅极圈。由于该栅电阻由至少两个分电阻并联，当其中一个分电阻发生损坏，其他分电阻仍能够正常工作，在主栅极区和栅极圈之间传递信号。因此，该栅电阻避免了现有技术中的由于单个电阻串联带来的由于电阻损坏，芯片就面临损坏的风险。
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公开(公告)号：CN105261564A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510740775.7
申请日：2015-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种逆导IGBT的制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了传统的制备方法工艺难度大，生产效率低的技术问题。该方法包括：在衬底内形成第一导电类型的缓冲层；通过构图工艺在所述衬底背面形成掺有第一导电类型离子的第一电介质图形和掺有第二导电类型离子的第二电介质图形；对所述衬底正面进行处理，形成逆导IGBT正面结构，在形成正面结构的热处理过程中，所述缓冲层在所述衬底中完成推进，所述第一电介质图形中的第一导电类型离子扩散入所述衬底中形成第一导电类型区域，所述第二电介质图形中的第二导电类型离子扩散入所述衬底中形成第二导电类型区域；在所述衬底背面形成金属层。
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公开(公告)号：CN103325838B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310259232.4
申请日：2013-06-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体芯片及其制备方法，该功率半导体芯片是由N个元胞单元并联形成的。其中，至少一个所述元胞单元上包括位于元胞单元外围的金属硅化物层，该金属硅化物层至少位于元胞单元的多晶硅层的外围区域的上方，该金属硅化物层功能上可以作为栅电阻，该栅电阻将芯片元胞单元的结构包围起来，实现了栅电阻的元胞级并联，提高了元胞级的开关控制能力，改善了芯片的均流特性。
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公开(公告)号：CN103311283A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310259231.X
申请日：2013-06-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L23/64
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种功率半导体芯片栅电阻，所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内，所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间，所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内，且所述栅极圈包围所述主栅极区，所述栅电阻至少包括两个分电阻，每个所述分电阻的一端连接所述主栅极区，另一端连接所述栅极圈。由于该栅电阻由至少两个分电阻并联，当其中一个分电阻发生损坏，其他分电阻仍能够正常工作，在主栅极区和栅极圈之间传递信号。因此，该栅电阻避免了现有技术中的由于单个电阻串联带来的由于电阻损坏，芯片就面临损坏的风险。
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