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公开(公告)号：CN105226089B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510727727.4
申请日：2015-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的制作方法，包括：通过离子注入的方式，将硼注入到IGBT器件中；对所述IGBT器件进行高温退火，激活注入到所述IGBT器件的硼，并使硼达到所述IGBT器件的预设深度，形成P阱；将磷通过高能离子注入的方式注入到所述P阱下的预定位置，并进行高温退火激活所述高能磷，形成所述IGBT器件的N阱。除此之外，本发明还公开了一种IGBT芯片，应用如上述的IGBT芯片的制作方法，包括P阱、N阱和基区，所述N阱设置于所述P阱和所述基区之间。所述IGBT芯片通过在P阱和基区之间制作杂质浓度较高的N阱，提高了沟道中载流子的移动能力，减少了阈值电压，减少长工艺偏差和时间成本，提高了工艺效率，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN105336581A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510740640.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/331 , H01L21/67
CPC classification number: H01L29/66325 , H01L21/02 , H01L21/67011
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，其中，方法包括：通过在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。上述方法由于在第一硅片上贴了胶膜，可避免第一硅片减薄后翘曲过大，不利于后续加工，且同时能够降低成本，简化工艺过程。
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公开(公告)号：CN106816371A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510864059.X
申请日：2015-12-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/306 , H01L21/30604 , H01L21/67 , H01L21/67075
Abstract: 本发明提供一种IGBT晶圆制造方法及装置，其中，方法包括：设置预设值；对减薄后的IGBT晶圆背面使用混合酸液进行腐蚀，除去背面表层预设值厚度层。由于减薄后的IGBT晶圆背面表层会产生大量暗纹和损伤层，这些暗纹和损伤层带来的应力会使晶圆翘曲，翘曲的晶圆在后续工艺中容易破损，影响产品成品率，本发明提供的IGBT晶圆制作方法及装置，对减薄后的IGBT晶圆背面使用混合酸液进行腐蚀，除去背面表层预设值厚度层，以减少暗纹，从而减小由暗纹而产生的应力，最终减小IGBT晶圆翘曲度，另外由于去除了具有暗纹和损伤的表层，减少了晶圆内部的缺陷，优化了IGBT电学性能，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN105321817A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510703315.7
申请日：2015-10-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/66136 , H01L21/28 , H01L29/8613
Abstract: 本发明公开了一种二极管及其阴极金属化方法，包括步骤S1：注入N型杂质，形成N型层；步骤S2：在N型层远离P型层的一侧淀积粘附层；步骤S3：对二极管进行激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触。本发明所提供的方法，利用激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触，有效的减少半导体与金属之间的接触电阻，降低二极管的正向通态压降，延长半导体器件的功率循环寿命。另外，该二极管的阴极金属结构简单，粘附性好，应力小，保护半导体器件的芯片结构不被破坏，提高封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN106910767A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510980302.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/66325 , H01L29/7393
Abstract: 本发明提供一种沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT，其中，方法包括在衬底上形成掺杂区；在衬底和掺杂区形成沟槽；在掺杂区表面和沟槽内表面生长氧化层；在氧化层表面淀积二氧化硅层或低K介质层，其中，沟槽底部的二氧化硅层或低K介质层位于衬底范围内；将沟槽侧壁及掺杂区表面氧化层上的二氧化硅层或者低K介质层刻蚀掉，保留沟槽底部的二氧化硅层或者低K介质层，以使沟槽底部的第一覆盖层比沟槽侧壁的第二覆盖层厚；在沟槽中填充多晶硅，形成栅电极。由于沟槽底部的第一覆盖层比沟槽侧壁的第二覆盖层厚，因此可以减小沟槽栅IGBT的栅集寄生电容，提高沟槽栅IGBT的工作安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106898582A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510961041.1
申请日：2015-12-18
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L23/12
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法，包括：形成于芯片的衬底上的导电缓冲层，用于芯片的导电和封装引线键合的缓冲；形成于导电缓冲层上的支撑缓冲层，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于支撑缓冲层上的防腐蚀抗老化层，对金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；形成于防腐蚀抗老化层上的增强层，用于增加防腐蚀抗老化层的硬度和强度，同时改善金属薄膜结构的接触特性。其中，导电缓冲层和支撑缓冲层的位置可以互换。本发明能够解决现有半导体器件表面金属层结构使用寿命低、可靠性差的技术问题，同时本发明金属薄膜结构简单且应力较小，与铝工艺具有较强的兼容性，制造工艺简单，可使用铜引线进行封装，成本较低。
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公开(公告)号：CN106898549A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510960998.4
申请日：2015-12-21
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法，其中，沟槽栅IGBT包括：衬底及位于衬底中的沟槽，沟槽上端露出衬底上表面，沟槽露出衬底上表面的部分被覆盖在衬底上表面的第一覆盖层覆盖，在相邻两个沟槽之间的衬底上设置有发射极区，发射极区及第一覆盖层均被第二覆盖层覆盖，沟槽未露出衬底的部分填满填充物，其中，第一覆盖层用于将第二覆盖层与填充物隔离。本发明可在不减小发射极金属与发射极区接触面积的前提下，通过减小沟槽间距以改善沟槽栅IGBT导通特性。
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公开(公告)号：CN105225948A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510760569.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/265
Abstract: 本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底正面内部的第二掺杂类型的阱区；位于所述阱区朝向所述半导体衬底背面一侧，且载流子浓度大于所述半导体衬底的载流子存储层；位于所述阱区中心的沟槽；位于所述沟槽两侧，且位于所述阱区内部的第一掺杂类型的发射区；位于所述沟槽两侧，且位于所述半导体衬底表面的栅极；覆盖所述栅极和沟槽表面的发射极；位于所述半导体衬底背面内部的第二掺杂类型的集区；位于所述集区背离所述半导体衬底一侧的集电极。所述绝缘栅双极晶体管具有低导通压降，并且其生产成本较低。
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公开(公告)号：CN106898582B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201510961041.1
申请日：2015-12-18
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法，包括：形成于芯片的衬底上的导电缓冲层，用于芯片的导电和封装引线键合的缓冲；形成于导电缓冲层上的支撑缓冲层，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于支撑缓冲层上的防腐蚀抗老化层，对金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；形成于防腐蚀抗老化层上的增强层，用于增加防腐蚀抗老化层的硬度和强度，同时改善金属薄膜结构的接触特性。其中，导电缓冲层和支撑缓冲层的位置可以互换。本发明能够解决现有半导体器件表面金属层结构使用寿命低、可靠性差的技术问题，同时本发明金属薄膜结构简单且应力较小，与铝工艺具有较强的兼容性，制造工艺简单，可使用铜引线进行封装，成本较低。
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公开(公告)号：CN105225948B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510760569.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/265
Abstract: 本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底正面内部的第二掺杂类型的阱区；位于所述阱区朝向所述半导体衬底背面一侧，且载流子浓度大于所述半导体衬底的载流子存储层；位于所述阱区中心的沟槽；位于所述沟槽两侧，且位于所述阱区内部的第一掺杂类型的发射区；位于所述沟槽两侧，且位于所述半导体衬底表面的栅极；覆盖所述栅极和沟槽表面的发射极；位于所述半导体衬底背面内部的第二掺杂类型的集区；位于所述集区背离所述半导体衬底一侧的集电极。所述绝缘栅双极晶体管具有低导通压降，并且其生产成本较低。
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