公开(公告)号：CN106898582B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510961041.1

申请日：2015-12-18

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  张鸿鑫 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  贺洪露 ,  张大华

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法，包括：形成于芯片的衬底上的导电缓冲层，用于芯片的导电和封装引线键合的缓冲；形成于导电缓冲层上的支撑缓冲层，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于支撑缓冲层上的防腐蚀抗老化层，对金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；形成于防腐蚀抗老化层上的增强层，用于增加防腐蚀抗老化层的硬度和强度，同时改善金属薄膜结构的接触特性。其中，导电缓冲层和支撑缓冲层的位置可以互换。本发明能够解决现有半导体器件表面金属层结构使用寿命低、可靠性差的技术问题，同时本发明金属薄膜结构简单且应力较小，与铝工艺具有较强的兼容性，制造工艺简单，可使用铜引线进行封装，成本较低。

公开(公告)号：CN106898582A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510961041.1

申请日：2015-12-18

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  张鸿鑫 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  贺洪露 ,  张大华

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/12

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法，包括：形成于芯片的衬底上的导电缓冲层，用于芯片的导电和封装引线键合的缓冲；形成于导电缓冲层上的支撑缓冲层，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于支撑缓冲层上的防腐蚀抗老化层，对金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；形成于防腐蚀抗老化层上的增强层，用于增加防腐蚀抗老化层的硬度和强度，同时改善金属薄膜结构的接触特性。其中，导电缓冲层和支撑缓冲层的位置可以互换。本发明能够解决现有半导体器件表面金属层结构使用寿命低、可靠性差的技术问题，同时本发明金属薄膜结构简单且应力较小，与铝工艺具有较强的兼容性，制造工艺简单，可使用铜引线进行封装，成本较低。

公开(公告)号：CN106816371A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201510864059.X

申请日：2015-12-01

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 张鸿鑫 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  宁旭斌 ,  谭真华

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明提供一种IGBT晶圆制造方法及装置，其中，方法包括：设置预设值；对减薄后的IGBT晶圆背面使用混合酸液进行腐蚀，除去背面表层预设值厚度层。由于减薄后的IGBT晶圆背面表层会产生大量暗纹和损伤层，这些暗纹和损伤层带来的应力会使晶圆翘曲，翘曲的晶圆在后续工艺中容易破损，影响产品成品率，本发明提供的IGBT晶圆制作方法及装置，对减薄后的IGBT晶圆背面使用混合酸液进行腐蚀，除去背面表层预设值厚度层，以减少暗纹，从而减小由暗纹而产生的应力，最终减小IGBT晶圆翘曲度，另外由于去除了具有暗纹和损伤的表层，减少了晶圆内部的缺陷，优化了IGBT电学性能，提高了成品率。