公开(公告)号：CN105321817A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510703315.7

申请日：2015-10-26

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 王光明 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  刘根

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66136 ,  H01L21/28 ,  H01L29/8613

Abstract: 本发明公开了一种二极管及其阴极金属化方法，包括步骤S1：注入N型杂质，形成N型层；步骤S2：在N型层远离P型层的一侧淀积粘附层；步骤S3：对二极管进行激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触。本发明所提供的方法，利用激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触，有效的减少半导体与金属之间的接触电阻，降低二极管的正向通态压降，延长半导体器件的功率循环寿命。另外，该二极管的阴极金属结构简单，粘附性好，应力小，保护半导体器件的芯片结构不被破坏，提高封装的可靠性。