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公开(公告)号：CN110828536A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911117985.5
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/04 , H01L29/24 , H01L21/02 , H01L29/739 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L21/331 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L33/44 , C23C16/448 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
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公开(公告)号：CN110684960A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911118021.2
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L21/331 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
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公开(公告)号：CN110071037B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910354277.7
申请日：2013-09-24
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。
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公开(公告)号：CN109643660B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201780053309.9
申请日：2017-08-29
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/365 , C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/737 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/26
Abstract: 本申请提供了一种具有宽带隙和增强的电导率的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。将根据需要的包含铱和其他金属的原料溶液雾化以产生喷雾，并且在使用载气将喷雾传送到基材的表面附近之后，通过使基材表面附近的喷雾发生热反应，在基材上形成包含铱的金属氧化物的晶体或混合晶体，从而制造p‑型氧化物半导体。(56)对比文件US 2010155720 A1,2010.06.24CN 102916097 A,2013.02.06US 2006089006 A1,2006.04.27US 2015076496 A1,2015.03.19TW M296476 U,2006.08.21US 2013214271 A1,2013.08.22JP 2013234106 A,2013.11.21CN 103597597 A,2014.02.19
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公开(公告)号：CN114836833A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210479527.1
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108474115B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201680075857.7
申请日：2016-12-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: B05D1/02
Abstract: 为了提供具有工业优势质量的薄膜的目的，本发明提出了一种成膜方法。本发明的方法的实施方式包括：将含有非质子溶剂(可以是内酯或内酰胺)的原料溶液变成雾或液滴(雾化步骤)，将雾或液滴携带至设置在成膜室的基体上(雾的运送步骤)，以及优选在250℃或以下的温度使雾或液滴反应，从而在基体上成膜(成膜步骤)。
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公开(公告)号：CN110310996B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910634597.8
申请日：2015-03-30
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体以及半导体装置。所述结晶性层叠结构体包括：底层基板；和刚玉结构的结晶性氧化物半导体薄膜，直接或介由其他层设置于所述底层基板上，其中所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，所述结晶性氧化物半导体薄膜的厚度为1μm以上。
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公开(公告)号：CN110804728A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911118630.8
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/739 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
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公开(公告)号：CN110612579A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201880030994.8
申请日：2018-04-27
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻特性优异且机械强度也强的热敏电阻膜及其成膜方法。通过在规定的成膜条件下使热敏电阻膜的原料溶液雾化或液滴化，对得到的雾滴或液滴供给载气，将所述雾滴或液滴运送至基体之后，使所述雾滴或液滴在所述基体上热反应而进行成膜，分别得到热敏电阻特性优异的外延膜、膜厚为1μm以下的热敏电阻膜、膜厚为50nm以上且5μm以下并且所述膜厚在膜宽5mm下的分布小于±50nm的范围内的热敏电阻膜、以及膜厚为50nm以上且5μm以下并且膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下的热敏电阻膜。
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公开(公告)号：CN110299414A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910634324.3
申请日：2015-03-30
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 本发明的目的是提供结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置，所述结晶性氧化物半导体薄膜用于形成半导体特性出色的结晶性层叠结构体。所述结晶性氧化物半导体薄膜具有刚玉结构，所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，膜厚为1μm以上，并且至少含有镓。
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