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公开(公告)号：CN1623894B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200410092101.2
申请日：2004-10-09
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/536 , C01P2006/80 , C04B35/522 , C04B35/64 , C04B35/83 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/723 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子/cm3或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×1016原子/cm3或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。
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公开(公告)号：CN119381255A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411443275.2
申请日：2019-07-25
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B7/22
Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
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公开(公告)号：CN107004592A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN103857835B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280041389.3
申请日：2012-08-24
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L21/02664 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02658 , H01L21/67109 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法，包括：碳层形成工序、贯穿孔形成工序、馈源层形成工序和外延层形成工序。在碳层形成工序中，在由多晶SiC构成的基板（70）的表面形成碳层71）。在贯穿孔形成工序中，在形成在基板（70）的碳层（71）形成贯穿孔（71c）。在馈源层形成工序中，在碳层（71）的表面形成Si层（72）和3C－SiC多晶层（73）。在外延层形成工序中，通过对基板（70）进行加热，在通过贯穿孔（71c）露出的基板（70）的表面形成由4H－SiC单晶构成的晶种，使晶种进行接近液相外延生长，形成4H－SiC单晶层。
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公开(公告)号：CN106030774A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009990.8
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的潜伤深度推定方法，包括蚀刻工序、计测工序和推定工序。在蚀刻工序中，对于至少表面由单晶SiC构成，并且进行了机械加工后的SiC基板，通过在Si气氛下进行加热处理而对该SiC基板的表面进行蚀刻。在计测工序中，对进行了蚀刻工序的SiC基板的表面粗糙度或者残留应力进行计测。在推定工序中，基于在计测工序中得到的结果，推定蚀刻工序前的SiC基板的潜伤的深度或者有无潜伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104854678A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380059730.2
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/673 , C23C10/02 , C23C10/22 , C30B29/36 , C30B33/12 , C30B35/002 , F27B17/0025 , H01L21/046 , H01L21/302 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外，硅化钽层不同于固着的Si，不会熔化落下。
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公开(公告)号：CN101659409A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910163506.3
申请日：2004-10-09
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/536 , C01P2006/80 , C04B35/522 , C04B35/64 , C04B35/83 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/723 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×10 18 原子/cm 3 或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×10 16 原子/cm 3 或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×10 18 原子/cm 3 或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。
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公开(公告)号：CN112930422A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980069147.7
申请日：2019-09-19
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B33/02 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 在器件制作用晶圆(43)的制造方法中，对在SiC晶圆(40)上形成有单晶SiC的外延层(41)的SiC外延晶圆(42)，进行使存在于该SiC外延晶圆(42)的外延层中的基面位错密度降低的基面位错密度降低工序，而制造为了制作半导体器件而使用的器件制作用晶圆(43)。在基面位错密度降低工序中，通过在为了降低基面位错密度而需要的既定时间内，不于SiC外延晶圆(42)上形成盖层，而是在Si蒸气压力下加热SiC外延晶圆(42)，一边抑制表面粗化一边降低基面位错密度。
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公开(公告)号：CN107004585B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201580062667.7
申请日：2015-11-17
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种碳化硅基板处理方法，该方法对于形成有沟槽(41)的碳化硅基板(40)，一边防止表面产生粗化一边使离子活化。通过进行在Si蒸气压下加热碳化硅基板(40)的离子活化处理，使注入于碳化硅基板(40)的离子活化，并进行蚀刻而将表面加工平坦，其中该碳化硅基板(40)在表面具有注入了离子的离子注入区域(46)，且在至少包含该离子注入区域(46)的部分形成有沟槽(41)。
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公开(公告)号：CN106030774B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580009990.8
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的潜伤深度推定方法，包括蚀刻工序、计测工序和推定工序。在蚀刻工序中，对于至少表面由单晶SiC构成，并且进行了机械加工后的SiC基板，通过在Si气氛下进行加热处理而对该SiC基板的表面进行蚀刻。在计测工序中，对进行了蚀刻工序的SiC基板的表面粗糙度或者残留应力进行计测。在推定工序中，基于在计测工序中得到的结果，推定蚀刻工序前的SiC基板的潜伤的深度或者有无潜伤。
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