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公开(公告)号：CN101292422A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200680035920.0
申请日：2006-02-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/17 , H03H9/54 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/18
CPC classification number: H03H9/02086 , H03H9/02157 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/584 , H03H9/587
Abstract: 本发明提供一种可以抑制短波长乱真的压电薄膜谐振器。薄膜部的一部分由基板12支持，薄膜部的从基板12音响性分离的部分中含有：a)夹持压电膜16的一对电极14、18在俯视图中重叠的振动部24；b)沿着振动部24的外周的至少一部分设置在压电膜16或电极18上的附加膜20。设x(MN·秒/m3)为由密度和杨氏模量的积的平方根定义的附加膜20的音响阻抗，附加膜20的密度和厚度的积为A，电极14、18的密度和厚度的积为B，y＝A/B，满足：(i)9.0≤x＜44.0时，0.0092·x+0.88≤y＜0.067·x+0.60…(1a)(ii)44.0≤x＜79.0时，－0.0035·x+1.45≤y＜0.015·x+2.9…(1b)。
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公开(公告)号：CN1947333A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013358.7
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02086 , H03H9/174
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜谐振器，包括：在对置的一对电极(14、16)之间配置有压电薄膜(15)的薄膜部(17)、形成在薄膜部(17)的一对电极的一方(14)的一侧的绝缘膜(18)、支承薄膜部(17)的一对电极的另一方(16)的一侧的一部分的基板(12)。薄膜部(17)和绝缘膜(18)成为一体，以2以上的整数倍波的至少一个振动模式振动，在该至少一个振动模式下，构成为2以上的整数倍波的波腹位于绝缘膜(18)内。由此，可以降低非谐高阶模杂散，且能够实现小型化。
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公开(公告)号：CN111683896B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880088213.0
申请日：2018-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明具备：压电膜；第一电极以及第二电极，它们夹着该压电膜；保护膜，其设置为覆盖第二电极的至少一部分，具有将第二电极的一部分开口的开口部；第三电极，其设置为至少在开口部与第二电极接触，且覆盖保护膜的至少一部分；以及第一布线层，其具有与第三电极接触的第一接触部。
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公开(公告)号：CN108141196B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201680057976.X
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。
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公开(公告)号：CN111683896A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201880088213.0
申请日：2018-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: B81B3/00 , H03H9/24 , B81C3/00 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187
Abstract: 本发明具备：压电膜；第一电极以及第二电极，它们夹着该压电膜；保护膜，其设置为覆盖第二电极的至少一部分，具有将第二电极的一部分开口的开口部；第三电极，其设置为至少在开口部与第二电极接触，且覆盖保护膜的至少一部分；以及第一布线层，其具有与第三电极接触的第一接触部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105210295B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480026898.8
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(‑0.0002x2‑0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN105556840A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051082.0
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/171 , H03H3/0072 , H03H3/02 , H03H9/02448 , H03H9/2484 , H03H9/2489 , H03H2003/027 , H03H2009/02503 , H03H2009/02511 , H03H2009/241
Abstract: 本发明提供振动装置及其制造方法，能够抑制由于温度变化而产生的共振频率的偏差。振动装置(1)具备：支承部(2)；与上述支承部(2)连接，且具有作为简并半导体的n型Si层(11)的振动臂(3a、3b、3c)；以及被设置为使上述振动臂(3a、3b、3c)激振的电极(16、17)，以与上述n型Si层(11)的下表面接触的方式设置含有杂质的硅氧化膜(12、13)。
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公开(公告)号：CN105210295A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026898.8
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(-0.0002x2-0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN111264031B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880068819.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。上述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备，上述MEMS设备具有：谐振子，具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜；上盖，与谐振子的上部电极对置而设置；以及下盖，与谐振子的下部电极对置而设置、并设置为与上盖一起密封谐振子，上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面，CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层，上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
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公开(公告)号：CN112740550A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061641.9
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 提供能够减少保持部的绝缘膜所带电的电荷给予谐振频率的影响的谐振装置。谐振装置(1)具备：谐振子(10)，包括振动部(120)和保持部(140)，上述保持部(140)配置于振动部(120)四周的至少局部且包括将振动部(120)保持为能够振动的保持体和形成在该保持体上的绝缘膜(235)；和下盖(20)，其包括形成振动部(120)的振动空间的至少局部的凹部(21)，绝缘膜235的内侧面相对于规定凹部(21)的侧壁(23)的内表面(23a)隔开第1距离D1配置。
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