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公开(公告)号：CN101436606A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810174029.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/101 , G11C5/02 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在相变存储器等中，存在如下问题：用薄膜形成记录材料和选择元件双方时，因重写工作等的热而使与记录材料层相邻的层的原子扩散到记录材料层，重写特性发生变化。为了解决上述问题，本发明在非易失性记录材料层(224)与选择元件(220、221)之间具有膜厚为5nm～200nm的半导体层(222)。由此，可得到大容量且重写条件稳定的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN101552321A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910007170.1
申请日：2009-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L45/085 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 固体电解质存储器存在因反复重写导致固体电解质中的离子A量及电极的形状发生变化，因此难以稳定地重写的问题。本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置利用固体电解质层的电阻变化来存储信息或者使电路连接发生变化，其中，使固体电解质层的组成为例如Cu－Ta－S，与其邻接或接近的离子供给层的组成为Cu－Ta－O，由离子供给层供给的离子在固体电解质层内形成导电通路，从而根据电阻高低存储信息，通过施加电脉冲，能够使电阻发生变化。上述离子供给层是具有例如Cu－Ta－O＝1∶2∶6的组成比的结晶，能够稳定地进行重写动作。
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公开(公告)号：CN101364634A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810128199.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。
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公开(公告)号：CN100413075C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200410071440.2
申请日：2004-03-03
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1213 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种存储装置，是由使用了存储元阵和选择晶体管的存储单元构成的相变存储装置，具有可在130度以上工作的高耐热性。作为该装置的结构，在记录层上使用Zn-Ge-Te的Zn或Cd等的含量≥25原子%、Ge的含量≥5原子%且≤25原子%、Te的含量≥40原子%的材料。这样，能够实现用于车载用途等有可能变为高温的用途中的存储装置。
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公开(公告)号：CN1571160A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410071440.2
申请日：2004-03-03
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1213 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种存储装置，是由使用了存储元件和选择晶体管的存储单元构成的相变存储装置，具有可在130度以上工作的高耐热性。作为该装置的结构，在记录层上使用Zn－Ge－Te的Zn或Cd等的含量≥25原子％、Ge的含量≥5原子％且≤25原子％、Te的含量≥40原子％的材料。这样，能够实现用于车载用途等有可能变为高温的用途中的存储装置。
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公开(公告)号：CN1497724A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03155096.7
申请日：2003-08-27
Applicant: 尔必达存储器株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/092 , H01L27/105 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/10891 , H01L21/28061 , H01L21/823842 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L29/4941 , H01L29/7833
Abstract: 在具有三个和多个不同费米能级的多晶硅栅电极结构的半导体装置中，具有最低费米能级的P型多晶硅在第一N型表面沟道MOS晶体管上；具有最高费米能级的第一N型多晶硅在第二N型表面沟道MOS晶体管上，和具有在最高费米能级和最低费米能级之间的中间费米能级的，并用N型杂质和P型杂质掺杂的第二N型多晶硅在P沟道MOS晶体管上。
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公开(公告)号：CN1434515A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02130508.0
申请日：2002-08-15
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/0688 , H01L27/1104
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件包括多条字线、多条位线以及多个静态存储单元，每个存储单元具有第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管。每个第一、第二、第三和第四晶体管的沟道相对应该半导体存储器件的基片垂直。每个形成第五和第六晶体管的源极和漏极的半导体区域形成在该基片上的一个PN结。根据本发明另一个方面，该SRAM器件具有多个SRAM单元，其中至少一个是垂直SRAM单元，其包括在基片上的至少四个垂直晶体管，以及每个垂直晶体管包括排列在一条对齐线上的一个源极、一个漏极和它们之间的沟道，该对齐线以大于0度的角穿过该基片的表面。
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